ID produktu: 9657
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BYV32E-150, w obudowie TO-220, jest dwukanałowym, szybkim diodem Schottky'ego, charakteryzującym się napięciem zwrotnym 150V oraz prądem przewodzenia 20A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, gdzie kluczowa jest wysoka efektywność i niezawodność. W kontekście części elektronicznych, BYV32E-150 wyróżnia się także niskim spadkiem napięcia przewodzenia i szybką reakcją na zmiany obciążenia.
ID produktu: 9534
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor DTC143ES, w obudowie TO-92, to komponent NPN typu pre-biased (z wbudowanym rezystorem bazowym), przeznaczony do zastosowań przełączających. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz ograniczoną mocą strat. Idealnie nadaje się do zintegrowanych układów sterowania. W kontekście części elektronicznych, znajduje szerokie zastosowanie w projektowaniu obwodów drukowanych.
ID produktu: 9189
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FDD8447L, wykonany w technologii SMD i zamknięty w obudowie TO-252, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 40V oraz prądem ciągłym drenu ID na poziomie 15A. Jako element z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, układach zasilających i komutacyjnych, oferując niskie RDS(on) przy VGS = 10V.
ID produktu: 8075
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FMG13 PIONEER, zaliczany do półprzewodników mocy, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką odpornością na przepięcia. Przeznaczony do aplikacji przełączających, zapewnia efektywną komutację w układach elektronicznych. Element ten, znajdujący zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, wyróżnia się stabilnością pracy przy zróżnicowanych obciążeniach.
ID produktu: 8630
Stan magazynowy: w magazynie
Para tranzystorów FN1016 i FP1016, dedykowana do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy audio, charakteryzuje się współczynnikiem wzmocnienia prądowego beta oraz maksymalnym prądem kolektora. Optymalizacja parametrów dynamicznych umożliwia efektywną pracę w szerokim zakresie częstotliwości. Wysoka tolerancja na przeciążenia termiczne i prądowe zwiększa niezawodność układów. Dostępne są na stronie z częściami elektronicznymi.
ID produktu: 10369
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FQPF33N10 w obudowie TO-220F charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 100V oraz prądem drenu ID równym 33A. Zapewnia szybką komutację dzięki niskiemu oporowi kanału RDS(on), co jest kluczowe w aplikacjach o wysokiej efektywności. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w przetwornicach DC/DC, regulatorach napięcia oraz systemach zarządzania mocą.
ID produktu: 10471
Stan magazynowy: w magazynie
Model FQP3N80 METAL to tranzystor MOSFET typu N, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 800V oraz prądem drenu ID na poziomie 3A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami. Posiada obudowę TO-220, która zapewnia efektywny rozpraszanie ciepła.
ID produktu: 10411
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FQPF6N60C, typu MOSFET, charakteryzuje się napięciem przebicia Vds wynoszącym 600V oraz prądem drenu Id do 6A, w obudowie TO-220F. Urządzenie to, dedykowane jest do zastosowań w przetwornicach mocy, oferując wysoką efektywność i niezawodność. Dla uzupełnienia projektów związanych z częściami elektronicznymi, FQPF6N60C stanowi kluczowy komponent.
ID produktu: 9096
Stan magazynowy: w magazynie
Model FS10KM-5, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się zdolnością do przewodzenia prądu o natężeniu do 10A, zamknięty w obudowie TO-220. Urządzenie to, dedykowane do aplikacji mocy, operuje w zakresie wysokich temperatur. Wykorzystywane przede wszystkim w układach zasilających, inwerterach oraz częściach elektronicznych o podobnym profilu zastosowań. Odporność termiczna i elektryczna tego komponentu gwarantuje efektywność w szerokim spektrum warunków eksploatacyjnych.
ID produktu: 9246
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor GT20D201, zawarty w obudowie TO-247, charakteryzuje się zdolnością do przewodzenia wysokiego prądu przy zachowaniu niskiego spadku napięcia. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w układach przełączających i wzmacniaczy mocy, wykazuje się również wysoką odpornością termiczną. Dostępne w ofercie części elektroniczne obejmują szeroki zakres tranzystorów o różnych parametrach, w tym model GT20D201, który znajduje zastosowanie w zaawansowanych systemach elektronicznych wymagających stabilnej pracy przy dużych obciążeniach.