Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12204
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 75N08 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem drenu-source VDS=80V oraz prądem drenu ID=75A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co jest kluczowe dla aplikacji o wysokiej wydajności. Zastosowanie technologii MOSFET pozwala na efektywne zarządzanie mocą w szerokim zakresie aplikacji.
ID produktu: 12205
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 9NK50ZFP PLASTIC (TO-220F) to półprzewodnikowy element elektroniczny w obudowie TO-220F, zaprojektowany do zastosowań w układach o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID równym 9A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnej regulacji prądu.
ID produktu: 12207
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor APM4008N SMD, w obudowie TO-252, to półprzewodnikowy element wykonawczy, stosowany w układach elektronicznych jako klucz, wzmacniacz lub przełącznik. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką efektywnością przy prądach do 30A. Znajduje zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych częściach elektronicznych, gdzie kluczowe jest precyzyjne sterowanie mocą.
ID produktu: 12209
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD129, z obudową typu TO-127, jest półprzewodnikowym elementem dyskretnym, służącym do wzmacniania, przełączania lub modulacji sygnałów elektrycznych. Charakteryzuje się średnią mocą i napięciem pracy, stosowany w różnorodnych aplikacjach elektronicznych. Dostępny w ofercie części elektronicznych.
ID produktu: 12210
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD249F, z obudową TO-3PN, jest bipolarnym tranzystorem mocy NPN, przeznaczonym do zastosowań w układach o wysokim napięciu oraz dużej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 100V oraz maksymalnym prądem kolektora IC równym 25A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w przetwornicach mocy, układach wzmacniaczy audio oraz innych częściach elektronicznych wymagających komponentów o wysokiej wydajności.
ID produktu: 12211
Stan magazynowy: w magazynie
BDV64B, tranzystor bipolarny PNP w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera (Vce) wynoszącym 80V oraz maksymalnym prądem kolektora (Ic) do 12A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w układach zasilania. Dostępność części elektronicznych takich jak BDV64B pozwala na efektywną realizację projektów wymagających stabilnej pracy w warunkach dużych obciążeń.
ID produktu: 12213
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BU2527DW, bipolarny, o wysokiej mocy, przeznaczony jest do zastosowań w zaawansowanych układach przetwarzania mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 1500V oraz prądem kolektora IC o wartości do 12A. Wysoka częstotliwość pracy i zdolność do szybkiego przełączania czynią go odpowiednim dla [części elektronicznych](https://www.impelshop.com/) w aplikacjach przemysłowych oraz w zasilaczach impulsowych.
ID produktu: 8813
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BU508DFX, bipolarny, typu NPN, przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 700V oraz maksymalnym prądem kolektora IC równym 8A. Wyposażony w izolowaną obudowę TO-3PF, zapewniającą doskonałą zdolność do rozpraszania ciepła. Dedykowany do pracy w układach zasilających, przetwornicach częstotliwości, a także w aplikacjach przemysłowych. Szczegółowe dane techniczne dostępne są na stronie producenta. Dla zainteresowanych szerokim asortymentem części elektronicznych polecamy zapoznanie się z ofertą sklepu ImpelShop.
ID produktu: 12214
Stan magazynowy: w magazynie
Model BUL810H, realizowany w obudowie METAL TO-3PN, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokich napięciach. Jego parametry pozwalają na efektywną komutację w układach zasilających, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Warto zwrócić uwagę na jego specyfikację, obejmującą maksymalne napięcie kolektora-emitera oraz prąd kolektora, co jest kluczowe przy projektowaniu części elektronicznych.
ID produktu: 12215
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ11AF, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 50V oraz prądem drenu ID równym 30A. Urządzenie to, dedykowane dla szerokiego zakresu aplikacji, operuje w trybie N-Channel, co umożliwia jego wykorzystanie w układach przełączających. Warto zaznaczyć, że posiada zintegrowaną diodę Zenera dla ochrony bramki. W kontekście części elektronicznych, BUZ11AF jest kluczowym komponentem w projektowaniu efektywnych systemów zasilania.