Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12340
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1379, encapsulated within a TO-3PN package, is a high-voltage, N-channel MOSFET designed for applications requiring fast switching and high reliability. Characterized by its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is integral in power regulation circuits. For additional specifications and available części elektroniczne, refer to the manufacturer’s documentation.
ID produktu: 12344
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor DN1901, jako element półprzewodnikowy, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką odpornością na impulsy prądowe. Przydatny w aplikacjach przełączających, gdzie kluczowe jest szybkie i efektywne sterowanie przepływem prądu. Dostępny w obudowie TO-220AB, zapewnia doskonałą termiczną wydajność. Wszystkie części elektroniczne, w tym DN1901, znajdują zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, wymagających stabilności i niezawodności.
ID produktu: 12350
Stan magazynowy: w magazynie
Model MN1715 to wysokonapięciowy tranzystor bipolarny typu NPN, charakteryzujący się zdolnością do pracy w zakresie napięć do 1500V oraz prądem kolektora do 7A. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przekształtnikowych oraz jako element sterujący w aplikacjach przemysłowych. Dzięki swojej konstrukcji, umożliwia efektywną komutację w obwodach o wysokiej częstotliwości. Wykorzystanie części elektronicznych o takich parametrach pozwala na optymalizację działania zaawansowanych systemów elektronicznych.
ID produktu: 12347
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor SAP09P, bipolarny, typu PNP, przeznaczony jest do zastosowań w układach audio o wysokiej mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia i wysoką prędkością przełączania. Maksymalna dopuszczalna moc wyjściowa oraz napięcie kolektor-emiter pozwalają na efektywną pracę w zaawansowanych częściach elektronicznych. Parametry graniczne urządzenia umożliwiają integrację z różnorodnymi obwodami.
ID produktu: 8704
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor SAP15NO, bipolarny, z rodziny NPN, charakteryzuje się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Projektowany głównie do zastosowań audio, posiada wbudowaną diodę kompensacyjną oraz rezystor emiterowy, co ułatwia implementację w częściach elektronicznych o wysokich wymaganiach akustycznych. Maksymalna moc wyjściowa oraz efektywność termiczna są kluczowe dla jego wydajności.
ID produktu: 12341
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor SAPM01N, będący elementem półprzewodnikowym, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia oraz wysoką częstotliwością pracy. Dedykowany do zastosowań w układach komutacyjnych i wzmacniaczach, ten komponent zapewnia efektywną regulację przepływu prądu. Umożliwia precyzyjne sterowanie w aplikacjach wymagających stabilności parametrów elektrycznych. Dostępność części elektronicznych na rynku obejmuje szeroki wachlarz tranzystorów, w tym model SAPM01N, odpowiedni do zintegrowanych systemów mikroelektronicznych.
ID produktu: 12427
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 09N70I, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem pracy do 700V oraz prądem drenu Id do 9A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w przetwornicach częstotliwościowych, wyróżnia się niskimi stratami przełączania. Dostępne części elektroniczne obejmują szeroki zakres komponentów do różnorodnych aplikacji.
ID produktu: 12428
Stan magazynowy: w magazynie
Model FQPF12N65, znany również jako 12N65 PLASTIC, to tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany do pracy w obudowie TO-220F. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 650V oraz prądem drenu 12A. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz innych aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania.
ID produktu: 12429
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor typu MOSFET o symbolu 13N50C, z obudową w standardzie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 500V oraz prądem drenu 13A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz innych aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania.
ID produktu: 12430
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor ME15N10-G, w obudowie SMD typu TO-252 (D-PAK), jest elementem półprzewodnikowym N-MOSFET, przeznaczonym do pracy w zaawansowanych układach elektronicznych. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 100V oraz prądem drenu ID równym 15A. Niskie RDS(on) minimalizuje straty mocy, co jest kluczowe dla efektywności energetycznej aplikacji. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach, zasilaczach oraz systemach zarządzania energią.