Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 13095
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK4096, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 500V, prądem drenu ID do 5A oraz niską rezystancją kanału przy VGS=10V. Obudowa TO-220F zapewnia optymalne rozpraszanie ciepła. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych i przetwornicach częstotliwości.
ID produktu: 13096
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK4107, w obudowie TO-3PN, to tranzystor mocy typu N-MOSFET, charakteryzujący się napięciem drenu-source VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID na poziomie 20A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokiej gamie aplikacji, w tym w zasilaczach impulsowych oraz przetwornicach częstotliwości. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor ten zapewnia wysoką efektywność i niezawodność w trudnych warunkach pracy. Wszystkie części elektroniczne, w tym wspomniany tranzystor, dostępne są w ofercie sklepu Impelshop.
ID produktu: 13115
Stan magazynowy: w magazynie
Model 6R190C6, tranzystor typu MOSFET w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 600V oraz prądem drenu Id do 19.5A. Zastosowanie technologii CoolMOS™ zapewnia zredukowaną rezystancję kanału w stanie przewodzenia, co przekłada się na efektywność energetyczną. Urządzenie to znajduje szerokie zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych częściach elektronicznych wymagających kluczowania mocy.
ID produktu: 13099
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BC549, z obudową TO-92, to bipolarny tranzystor NPN o małej mocy, przeznaczony do zastosowań w układach o niskim poziomie szumów. Charakteryzuje się napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym 30V oraz maksymalnym prądem kolektora 100mA. Idealnie nadaje się do zastosowań w przedwzmacniaczach oraz innych częściach elektronicznych wymagających stabilnej pracy.
ID produktu: 13100
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BC847, w obudowie SMD typu SOT-23, to bipolarny tranzystor NPN, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczy niskoszumowych. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 45V oraz maksymalnym prądem kolektora IC równym 100mA. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych jest to komponent o znaczącej elastyczności zastosowań w elektronice cyfrowej i analogowej.
ID produktu: 13101
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor BDV95, zaprojektowany w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokich napięciach oraz prądach. Jego główną aplikacją jest zastosowanie w układach wzmacniacza mocy, gdzie stabilność termiczna i efektywność są kluczowe. Dzięki precyzyjnie skonstruowanej geometrii kanału, tranzystor ten zapewnia optymalizację przepływu prądu, minimalizując straty mocy. Wszelkie dodatkowe informacje o częściach elektronicznych znajdują się na stronie dostawcy.
ID produktu: 13102
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BF441, z obudową TO-92L, jest elementem półprzewodnikowym NPN o wysokiej częstotliwości, przeznaczonym do zastosowań w układach wzmacniacza. Charakteryzuje się niskim poziomem szumów oraz umiarkowaną mocą wyjściową. Jego parametry pozwalają na efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur. Dostępność tego komponentu w ofercie części elektronicznych umożliwia szerokie zastosowanie w projektowaniu urządzeń elektronicznych.
ID produktu: 13103
Stan magazynowy: w magazynie
Model DG301, realizowany w obudowie SMD typu TO-263, charakteryzuje się zdolnością do pracy w środowiskach o wysokich częstotliwościach. Jego struktura pozwala na efektywną komutację sygnałów w szerokim zakresie temperatur. Dzięki precyzyjnie zaprojektowanej geometrii kanału, tranzystor ten znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie niezbędna jest wysoka niezawodność i stabilność parametrów. Odwiedź części elektroniczne dla dalszych informacji technicznych.
ID produktu: 12929
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FQP60N06, zawarty w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 60V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 60A. Urządzenie to, należące do kategorii części elektronicznych, jest przeznaczone do zastosowań w układach przełączających o wysokiej wydajności.
ID produktu: 13104
Stan magazynowy: w magazynie
Model IRF7807Z, realizowany w technologii SMD w obudowie SOP-8, charakteryzuje się n-channel MOSFET. Jego parametry, takie jak niskie napięcie progowe Vgs (th) oraz wysoka zdolność do przewodzenia prądu, czynią go odpowiednim dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych. Zastosowanie obejmuje przede wszystkim układy zasilania, konwersję energii oraz zarządzanie obciążeniem.