Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 13105
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFP4368 w obudowie TO-247 charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 75V, prądem drenu ID na poziomie 195A oraz rezystancją kanału RDS(on) maksymalnie 4.0 m?. Zapewnia wysoką efektywność i szybkość przełączania, co czyni go odpowiednim dla zastosowań w zaawansowanych układach elektronicznych. Dostęp do części elektronicznych umożliwia łatwe integrowanie w projektach.
ID produktu: 13106
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MD1803DFI, będący elementem z kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się napięciem pracy do 1500V oraz prądem kolektora do 3A. Urządzenie to, wykonane w technologii NPN, znajduje zastosowanie w przetwornicach częstotliwości oraz w układach sterowania silnikami. Należy zaznaczyć, że MD1803DFI posiada zintegrowaną diodę zabezpieczającą oraz cechuje się niskim napięciem nasycenia.
ID produktu: 8692
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MJE15025 w obudowie METAL (TO-220) jest komponentem bipolarnym, przeznaczonym do zastosowań w układach mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 250V oraz prądem kolektora IC na poziomie 8A. Urządzenie to znajduje szerokie zastosowanie w częściach elektronicznych wymagających stabilności termicznej oraz wysokiej wydajności prądowej.
ID produktu: 13107
Stan magazynowy: w magazynie
Para komplementarna MN1715 / MP1715, stanowiąca kluczowe części elektroniczne, charakteryzuje się bipolarną konstrukcją typu NPN i PNP. Przeznaczona do zastosowań w układach audio o wysokiej mocy, wykazuje się napięciem kolektora do emitera (Vce) wynoszącym do 120V oraz prądem kolektora (Ic) do 15A. Oferuje także niskie nasycenie napięcia oraz wysoką częstotliwość przełączania, co czyni je idealnymi dla zaawansowanych aplikacji audio.
ID produktu: 13108
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor RCR1525SI, realizowany w obudowie SMD typu SOT-23, charakteryzuje się napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym 150V oraz prądem kolektora do 250mA. Jego szybkość przełączania oraz mała rezystancja w stanie nasycenia sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, takich jak układy sterowania, przetwornice czy wzmacniacze sygnału.
ID produktu: 13109
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor RJP4301, z obudową PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia V(BR)DSS, które osiąga wartości do 600V, oraz prądem drenu I(D) na poziomie 30A. Jest to element przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających. Dzięki swojej konstrukcji, zapewnia doskonałą wydajność termiczną i elektryczną. W kontekście części elektronicznych, tranzystor RJP4301 znajduje szerokie zastosowanie w zasilaczach, inwerterach oraz systemach sterowania silnikami.
ID produktu: 13110
Stan magazynowy: w magazynie
Model RJP63G4, wykonany w obudowie TO-220F, to tranzystor typu IGBT charakteryzujący się wysoką prędkością przełączania oraz niskimi stratami mocy. Przeznaczony do zastosowań w zaawansowanych układach zasilających, oferuje doskonałą wydajność w warunkach wysokiej częstotliwości. W kontekście części elektronicznych, ten komponent zapewnia stabilność termiczną, co jest kluczowe dla niezawodności systemów elektronicznych.
ID produktu: 13111
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor S2000AFI, bipolarny, typu NPN, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia i wysoką zdolnością prądową. Idealnie nadaje się do zastosowań w zaawansowanych częściach elektronicznych, wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Montaż w obudowie TO-3P zapewnia dobre odprowadzanie ciepła.
ID produktu: 13119
Stan magazynowy: w magazynie
Model 10N20C, wykonany w obudowie TO-220, jest tranzystorem mocy typu N-MOSFET o maksymalnym napięciu dren-źródło VDS wynoszącym 200V oraz prądzie drenu ID do 10A. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), zapewniając efektywną pracę w aplikacjach przełączających. Dedykowany dla zaawansowanych układów zasilających, inwerterów oraz przetwornic. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie.
ID produktu: 13223
Stan magazynowy: w magazynie
Model 10N20C, z obudową TO-220F, jest tranzystorem polowym typu N, charakteryzującym się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 200V oraz prądem drenu ID do 10A. Urządzenie zaprojektowano z myślą o aplikacjach w układach przełączających i wzmacniaczach mocy. Dzięki konstrukcji w technologii PLASTIC, tranzystor zapewnia doskonałą wydajność termiczną. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie.