Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 13141
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SD331, tranzystor bipolarny NPN, charakteryzuje się obudową METAL (TO-200), zdolny do pracy w szerokim zakresie temperatur. Urządzenie to, dedykowane dla aplikacji o wysokim napięciu, oferuje maksymalne napięcie kolektora-emitera VCEO wynoszące 60V oraz prąd kolektora IC do 3A. W kontekście części elektronicznych, 2SD331 jest istotnym komponentem w układach zasilających i przetwornicach.
ID produktu: 13142
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SJ327, w obudowie SMD typu TO-263, charakteryzuje się parametrami pracy dopasowanymi do zastosowań w układach elektronicznych wymagających komponentów o wysokiej efektywności. Jako element półprzewodnikowy, odgrywa kluczową rolę w regulacji przepływu prądu. Dedykowany dla zaawansowanych aplikacji, ten tranzystor P-Channel MOSFET znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, od zasilaczy po układy sterowania. Specyfikacja techniczna obejmuje napięcie drenu do źródła (Vdss), prąd ciągły drenu (Id) oraz moc maksymalną (Pd), co czyni go komponentem odpowiednim dla szerokiego spektrum projektów elektronicznych.
ID produktu: 13145
Stan magazynowy: w magazynie
Model 5NK52, z obudową TO-220, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką odpornością termiczną. Jego aplikacje obejmują przede wszystkim zaawansowane układy przełączające. Dzięki precyzyjnemu procesowi produkcyjnemu, tranzystor ten zapewnia stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. W kontekście części elektronicznych, 5NK52 znajduje zastosowanie w zasilaczach, inwerterach oraz systemach sterowania silnikami.
ID produktu: 13146
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BC211, zamknięty w obudowie metalowej TO-39, stanowi element bipolarny typu PNP. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektor-emiter wynoszącym 30V oraz prądem kolektora do 100mA. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w układach wzmacniacza sygnału. Ze względu na swoje parametry, BC211 jest odpowiedni do pracy w środowiskach o średnich wymaganiach energetycznych.
ID produktu: 13148
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BTS542D, w obudowie TO-3P z 5 pinami, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką odpornością termiczną. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w układach przełączających, oferuje zintegrowaną ochronę przed przeciążeniem. W kontekście części elektronicznych, BTS542D stanowi kluczowy komponent w projektowaniu efektywnych systemów zarządzania mocą.
ID produktu: 13150
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 13151
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF550 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS do 100V, prądem drenu ID wynoszącym do 22A oraz rezystancją kanału RDS(on) maksymalnie 0.08?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w przetwornicach mocy, sterownikach silników oraz aplikacjach przełączających.
ID produktu: 13153
Stan magazynowy: w magazynie
IRLB3034, tranzystor MOSFET typu N, charakteryzuje się niską rezystancją kanału RDS(on) wynoszącą zaledwie 1.7 m? przy VGS = 10 V, co pozwala na przepływ dużej mocy. Przystosowany do pracy w obudowie TO-220, zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła. Maksymalne napięcie drenu do źródła VDSS osiąga 40 V, a maksymalny prąd ciągły drenu ID to 195 A. Produkt znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zasilania, sterowania silnikami oraz aplikacjach przemysłowych.
ID produktu: 13154
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRLB4030 w obudowie METAL (TO-220) charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 100V, prądem drenu ID na poziomie 180A oraz niską rezystancją kanału RDS(on), co przekłada się na wysoką efektywność w aplikacjach przełączających. Integralną częścią specyfikacji jest również zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych jest to komponent o kluczowym znaczeniu w projektowaniu wydajnych układów zasilających.
ID produktu: 13155
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MD2310DHI, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-3PF), charakteryzuje się wysoką mocą oraz zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w wielu układach elektronicznych, zapewnia efektywną komutację sygnałów. Dzięki precyzyjnie zaprojektowanej strukturze, tranzystor ten znajduje zastosowanie w zaawansowanych aplikacjach wymagających stabilnej pracy i niskiego nasycenia. Szczegółowe dane techniczne oraz możliwości zastosowania tego komponentu znajdują się w ofercie części elektronicznych.