Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 13615
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC2910, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-92L), charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (Vce) wynoszącym maksymalnie 120V oraz prądem kolektora (Ic) do 50mA. Jego częstotliwość przejścia (fT) osiąga wartość 180MHz, co sprawia, że znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych. Wyróżnia się niskim nasyceniem napięcia kolektora, co przekłada się na efektywność w układach przełączających.
ID produktu: 13616
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SD4185, w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem kolektor-emiter wynoszącym maksymalnie 60V oraz prądem kolektora do 3A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w aplikacjach przełączających oraz w układach wzmacniaczy mocy. Parametry termiczne i elektryczne tego komponentu pozwalają na efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 13617
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SD4186, w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (Vce) wynoszącym maksymalnie 60V oraz prądem kolektora (Ic) osiągającym maksymalnie 3A. Dedykowany głównie do zastosowań w układach przełączających, wzmacniaczach mocy oraz częściach elektronicznych o podwyższonych wymaganiach termicznych. Parametry te pozwalają na efektywne zarządzanie mocą w szerokim zakresie aplikacji elektronicznych.
ID produktu: 13407
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF1510G, zaprojektowany w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem drenu-źródło VDS wynoszącym 100V, maksymalnym prądem drenu ID równym 42A oraz rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on) poniżej 0.04?. Jego głównym zastosowaniem są wysokonapięciowe aplikacje przełączające. Zawiera w sobie zaawansowane technologie, zapewniające wydajność termiczną i elektryczną, odpowiednie dla części elektronicznych wymagających niezawodności i długowieczności.
ID produktu: 13618
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRL2203 METAL, w obudowie TO-220, jest elementem półprzewodnikowym typu N-MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach o wysokiej efektywności i gęstości mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym i wysoką prędkością przełączania. Maksymalne napięcie drenu do źródła wynosi 30V, a maksymalny prąd ciągły drenu to 116A przy Tc=25°C. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz układach sterowania silnikami.
ID produktu: 13605
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor KHB4D5N60F, w obudowie PLASTIC (TO-220F), to półprzewodnikowy element przełączający, charakteryzujący się napięciem pracy do 600V oraz prądem drenażu Id do 4.5A. Wykorzystanie technologii MOSFET zapewnia wysoką efektywność oraz szybkość przełączania. Dedykowany dla aplikacji w zakresie zarządzania mocą, znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami.
ID produktu: 13637
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 11N65 PLASTIC (TO-220F) to element półprzewodnikowy z rodziny MOSFET o napięciu pracy 650V oraz prądzie 11A, zaprojektowany w obudowie TO-220F. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia (Rds(on)), co minimalizuje straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz systemach zarządzania mocą.
ID produktu: 13638
Stan magazynowy: w magazynie
Para komplementarna tranzystorów 2SA1693 / 2SC4466 charakteryzuje się wysoką mocą wyjściową oraz doskonałą efektywnością przełączania. Przeznaczone do zastosowań w zaawansowanych układach audio, te części elektroniczne oferują stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. Ich parametry zapewniają wysoką liniowość oraz niskie zniekształcenia sygnału.
ID produktu: 13639
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 13640
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SA968 to część elektroniczna typu PNP, zamknięty w obudowie TO-220, zapewniający doskonałą wydajność w aplikacjach o wysokim napięciu. Charakteryzujący się niskim nasyceniem napięcia oraz wysoką prędkością przełączania, jest idealnym wyborem dla zaawansowanych układów zasilania. Jego parametry pozwalają na efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur.