Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 13465
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ271, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem pracy do 200V oraz prądem drenu do 19A. Zastosowanie technologii MOSFET w konstrukcji pozwala na efektywną pracę w układach przełączających. Dedykowany dla zaawansowanych aplikacji wymagających wysokiej wydajności prądowej oraz stabilności termicznej. Dostępność części elektronicznych umożliwia integrację w szerokim spektrum projektów elektronicznych.
ID produktu: 13439
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor GT60N631, zaprojektowany w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCE wynoszącym 630V oraz prądem kolektora IC do 60A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych systemach zasilania, wymagających wysokiej efektywności i niezawodności.
ID produktu: 13468
Stan magazynowy: w magazynie
Para komplementarna tranzystorów bipolarnych mocy MJL21193 (PNP) oraz MJL21194 (NPN) w obudowie TO-264 charakteryzuje się wysoką mocą wyjściową i napięciem kolektora-emitera (VCEO) do 250V. Znajdują zastosowanie w zaawansowanych aplikacjach audio, w tym w wzmacniaczach mocy. Elementy te, jako części elektroniczne, są kluczowe w projektowaniu wydajnych systemów audio.
ID produktu: 13600
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 13609
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 11N65 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS = 650V oraz prądem drenu ID = 11A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niskie RDS(on), co przekłada się na zredukowane straty mocy w aplikacjach przełączających. Specyfikacja obejmuje także czas włączenia i wyłączenia, co jest kluczowe dla efektywności dynamicznej.
ID produktu: 13610
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 15N50C3, zamknięty w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source VDS równym 500V oraz prądem drenu ID o wartości 15A. Urządzenie to operuje przy maksymalnej temperaturze pracy wynoszącej 150°C. Integralnym elementem tranzystora jest zintegrowany diodowy układ zabezpieczający przed przepięciami. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych i przekształtnikach częstotliwości.
ID produktu: 13611
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1208, w obudowie PLASTIC (TO-92L), to półprzewodnikowy element wykonawczy typu PNP, przeznaczony do zastosowań w układach o niskim napięciu oraz średniej mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką szybkością przełączania, co czyni go odpowiednim dla szerokiego spektrum aplikacji. Dostępny w częściach elektronicznych ImpelShop, jest komponentem, który znajduje zastosowanie w różnorodnych układach elektronicznych, od wzmacniaczy audio po zasilacze impulsowe.
ID produktu: 13612
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1667, wykonany w obudowie PLASTIC TO-220F, jest półprzewodnikowym elementem dyskretnym o charakterystyce PNP, przeznaczonym do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy oraz sterowania. Dzięki swojej konstrukcji, zapewnia stabilność termiczną i wysoką efektywność przełączania. Element ten, jak i inne części elektroniczne, znajduje szerokie zastosowanie w zaawansowanych systemach elektronicznych.
ID produktu: 13613
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor 2SB1548, w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką wydajnością prądową. Przeznaczony głównie do zastosowań w układach wzmacniających i przełączających, zapewnia stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację z różnorodnymi układami.
ID produktu: 13614
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC2808, zamknięty w obudowie TO-92, charakteryzuje się NPN konfiguracją polaryzacji. Przeznaczony głównie do zastosowań w układach wzmacniacza sygnałów niskiej częstotliwości, wykazuje się zdolnością do pracy przy napięciu kolektora do 50V oraz prądem kolektora do 150mA. Jego zastosowanie znajduje odniesienie w szerokim spektrum części elektronicznych, od prostych układów audio po zaawansowane systemy sterowania. Parametry hFE tranzystora mieszczą się w zakresie 100 do 320 przy Vce=6V, co podkreśla jego elastyczność w różnorodnych aplikacjach elektronicznych.