Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 13258
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor RJP43F4, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora do 40A. Jest to element półprzewodnikowy typu N-MOSFET, przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach wysokiej mocy. Wysoka odporność na impulsy prądowe oraz niska rezystancja kanału, czynią go odpowiednim do efektywnego sterowania w układach zasilających. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie.
ID produktu: 13259
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor RJP6065, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia VBRDSS wynoszącym 650V oraz prądem drenu ID na poziomie maksymalnym 20A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest przeznaczone do zastosowań w przetwornicach wysokiej mocy, oferując szybką komutację oraz niskie straty mocy. Jego parametry pozwalają na efektywne zarządzanie energią w zaawansowanych układach elektronicznych.
ID produktu: 13260
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor SUD40N06-25L, wykonany w technologii SMD w obudowie TO-252, charakteryzuje się napięciem drenu-source VDS wynoszącym 60V oraz prądem drenu ID o wartości 40A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na jego efektywność w aplikacjach o wysokiej gęstości mocy.
ID produktu: 13261
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor TIP120, zawarty w obudowie TO-220, jest tranzystorem bipolarnym NPN o mocy średniej. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 60V oraz maksymalnym prądem kolektora do 5A. Znajduje zastosowanie w różnorodnych aplikacjach sterowania oraz przełączania. Dostępny wśród części elektronicznych, jest komponentem, który można wykorzystać w wielu projektach elektronicznych, od prostych układów po zaawansowane systemy automatyki.
ID produktu: 13355
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor TIP142, w obudowie TO-220, jest tranzystorem Darlingtona NPN o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 100V oraz prądzie kolektora do 10A. Charakteryzuje się wzmocnieniem prądowym hFE minimum 1000 przy Ic=5A. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach sterowania silnikami, przekaźnikami oraz w aplikacjach przełączających i wzmacniających.
ID produktu: 13263
Stan magazynowy: w magazynie
Model TK7P60W, będący tranzystorem polowego typu MOSFET, charakteryzuje się strukturą w obudowie SMD typu TO-252. Urządzenie to operuje w zakresie napięć do 600V, oferując prąd drenu wynoszący 7A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz układach sterowania silnikami.
ID produktu: 13402
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2N0609, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Urządzenie to, należące do klasy tranzystorów MOSFET, umożliwia kontrolę wysokich napięć przy relatywnie niskich prądach bramkowych. Jego zastosowanie znajduje odzwierciedlenie w różnorodnych układach elektronicznych, w tym w przetwornicach mocy, regulatorach napięcia oraz systemach sterowania. Dla osób zainteresowanych częściami elektronicznymi, 2N0609 oferuje stabilne parametry w szerokim spektrum zastosowań.
ID produktu: 13403
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2N7002, realizowany w obudowie SOT-23, to element z kategorii MOSFET typu N. Charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 60V oraz prądem drenu ID maksymalnym na poziomie 200mA. Jego niska rezystancja kanału przy włączeniu, RDS(on), zapewnia efektywną pracę w układach przełączających. Dedykowany dla aplikacji o ograniczonej przestrzeni, znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach zarządzania mocą i logice poziomów.
ID produktu: 13404
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUL80 w obudowie METAL (TO-220) charakteryzuje się napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym do 800V oraz prądem kolektora do 4A. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w układach przełączających i wzmacniaczach, zapewnia stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. Dla projektantów części elektronicznych, BUL80 oferuje doskonałe parametry w kategorii szybkości przełączania i wydajności termicznej.
ID produktu: 13405
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ71A, w obudowie TO-220, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 50V oraz prądem drenu ID do 17A. Części elektroniczne tego typu znajdują zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz w sterowaniu silnikami.