Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 10881
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 7N60 PLASTIC w obudowie TO-220F charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem drenu Id=7A. Wysoka efektywność przełączania, minimalna rezystancja w stanie przewodzenia Rds(on) wynosząca typowo 1.2?. Znajduje zastosowanie w przetwornicach mocy, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających kluczowania mocy przy wysokich napięciach.
ID produktu: 10882
Stan magazynowy: w magazynie
AP9575GH to tranzystor polowy typu MOSFET z kanałem N, zaprojektowany do zastosowań w układach przełączających. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym (Vgs(th)) oraz wysoką zdolnością prądową (Id), umożliwiając efektywną pracę w zaawansowanych częściach elektronicznych. Obudowa TO-252 zapewnia optymalne odprowadzanie ciepła. Parametry elektryczne oraz termiczne czynią go odpowiednim do szerokiego zakresu aplikacji.
ID produktu: 10913
Stan magazynowy: w magazynie
Model APT8065BYR to tranzystor MOSFET typu N, charakteryzujący się napięciem przebicia VDSS wynoszącym 650V oraz prądem drenu ID równym 80A. Parametr RDS(on) tego komponentu oscyluje w granicach 65m?, co świadczy o jego efektywności w minimalizacji strat mocy. Urządzenie znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz systemach zarządzania mocą.
ID produktu: 10982
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BDW94C, wykonany w technologii bipolarnej PNP, charakteryzuje się obudową TO-220, zapewniającą efektywne odprowadzanie ciepła. Przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy i przekaźnikach, oferuje maksymalne napięcie kolektora-emitera wynoszące 100V oraz maksymalny prąd kolektora 12A. W kontekście części elektronicznych, BDW94C wyróżnia się stabilnością termiczną i elektryczną.
ID produktu: 10883
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BF245A, w obudowie TO-92, to komponent typu JFET o kanale N, przeznaczony do zastosowań jako wzmacniacz niskoszumowy lub przekaźnik analogowy. Charakteryzuje się napięciem przewodzenia VDS w zakresie do 30V oraz maksymalnym prądem drenu ID wynoszącym 25mA. Element ten znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach sygnałowych o niskiej mocy.
ID produktu: 10884
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BF961, obudowa TO-50, jest elementem półprzewodnikowym MOSFET typu N, charakteryzującym się niskim poziomem szumów i wysoką czułością. Przeznaczony głównie do zastosowań w układach VHF. Parametry pracy pozwalają na efektywne wykorzystanie w profesjonalnych częściach elektronicznych. Specyfikacja obejmuje zakres częstotliwości, w którym tranzystor zachowuje optymalną impedancję wejściową, zwiększając efektywność układów RF.
ID produktu: 10918
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BS208, należący do kategorii półprzewodnikowych części elektronicznych, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia oraz ograniczoną mocą wyjściową. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o aplikacjach o niskim poborze mocy, wykazuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur. Jego konstrukcja pozwala na efektywne zarządzanie prądem w układach elektronicznych.
ID produktu: 10998
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BTA12/600 METAL w obudowie TO-220 charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz maksymalnym prądem do 12A. Jako element półprzewodnikowy z rodziny triaków, znajduje zastosowanie w układach sterowania mocą. Specyficzna konstrukcja zapewnia optymalną dystrybucję ciepła. W kontekście części elektronicznych, jego rola w precyzyjnym regulowaniu przepływu prądu jest kluczowa.
ID produktu: 8581
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BU2532AL, zaliczany do kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się wysokim napięciem przebicia, co umożliwia jego aplikację w zaawansowanych układach przetwarzania mocy. Przy nominalnej mocy wyjściowej, BU2532AL zapewnia stabilność termiczną, co jest kluczowe w aplikacjach o wysokim obciążeniu. Jego parametry, takie jak maksymalne napięcie kolektora-emitera oraz prąd kolektora, pozwalają na efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur. Konstrukcja oparta na technologii LDMOS zapewnia nie tylko wydajność, ale i niezawodność w trudnych warunkach eksploatacyjnych.
ID produktu: 10885
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor BU808DFH, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (Vce) wynoszącym 1500V oraz maksymalnym prądem kolektora (Ic) równym 8A. Jest to komponent przeznaczony do zastosowań w układach przetwarzania mocy, oferujący szybką komutację i niskie straty przewodzenia. Wysoka wytrzymałość napięciowa oraz zdolność do pracy przy wysokich prądach czyni go odpowiednim dla aplikacji wymagających niezawodności i efektywności energetycznej. Dostęp do szerokiej gamy części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi układami.