ID produktu: 9183
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STP6NK60Z METAL w obudowie TO-220 charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID równym 6A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję kanału RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Zastosowanie technologii MOSFET zapewnia optymalizację parametrów dynamicznych tranzystora, umożliwiając jego wykorzystanie w zaawansowanych układach zasilania.
ID produktu: 10381
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STP9NK50Z METAL, klasyfikowany jako MOSFET typu N, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID do 9A. Wysoka impedancja wejściowa oraz niskie straty przełączania czynią go odpowiednim do zastosowań w przetwornicach mocy, regulacji PWM i innych aplikacjach wymagających efektywnego sterowania dużymi prądami. Dostępność w obudowie TO-220 zapewnia łatwą integrację z częściami elektronicznymi na płytce drukowanej.
ID produktu: 10477
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STP9NK50ZFP PLASTIC, MOSFET typu N, zapewnia VDS maksymalne na poziomie 500V przy ID równym 9A. Charakteryzując się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), wynoszącą 0.55?, jest optymalizowany dla aplikacji o wysokiej efektywności. Obudowa TO-220FP minimalizuje straty termiczne, co jest kluczowe dla części elektronicznych w aplikacjach przemysłowych.
ID produktu: 9947
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor STP9NK60ZFP, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 7A. Urządzenie to zapewnia doskonałą zdolność do wyłączania przy niskim VGS, co jest kluczowe dla aplikacji wymagających wysokiej efektywności energetycznej. Jako element z serii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilających, przetwornicach częstotliwości oraz w sterowaniu silnikami.
ID produktu: 9948
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor TIP102, w obudowie TO-220, to darlington NPN o maksymalnym napięciu kolektor-emiter wynoszącym 100V oraz prądzie kolektora do 8A. Charakteryzuje się wzmocnieniem prądowym (hFE) minimum 1000 przy VCE=4V. Idealnie sprawdza się w aplikacjach przełączających i liniowych. Dostępność części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi układami.
ID produktu: 8904
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor TIP112, darlington NPN o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 100V oraz prądzie kolektora do 2A, charakteryzuje się wzmocnieniem prądowym (hFE) minimum 1000 przy VCE=4V. Idealnie nadaje się do aplikacji przełączających i wzmacniaczy mocy. Dostępne części elektroniczne obejmują pełny zakres komponentów niezbędnych do budowy zaawansowanych układów elektronicznych.
ID produktu: 9242
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor TIP122, obudowa TO-220, to element półprzewodnikowy NPN Darlingtona, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczy mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektor-emiter wynoszącym 100V oraz prądem kolektora do 5A. Dedykowany dla szerokiego zakresu aplikacji, części elektroniczne te znajdują zastosowanie w różnorodnych urządzeniach elektronicznych.
ID produktu: 9102
Stan magazynowy: w magazynie
Model TIP135C, wykonany w obudowie TO-247, jest tranzystorem typu PNP Darlingtona, charakteryzującym się maksymalnym napięciem kolektor-emiter wynoszącym 100V oraz prądem kolektora do 8A. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w układach sterowania mocą i przekaźnikach. Jego termiczna wydajność zapewnia stabilność w aplikacjach o wysokim obciążeniu.
ID produktu: 8905
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor TIP142, z obudową TO-247, jest elementem półprzewodnikowym typu NPN Darlington o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 100V oraz prądzie kolektora do 10A. Charakteryzuje się wysokim współczynnikiem wzmocnienia prądowego, co sprawia, że znajduje zastosowanie w wielu rodzajach części elektronicznych, w tym w układach sterowania silnikami, przekaźnikami oraz innych obciążeniach indukcyjnych.
ID produktu: 9660
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor TIP147, w obudowie TO-220, jest półprzewodnikowym elementem wykonawczym typu PNP Darlingtona, przeznaczonym do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy oraz sterowania obciążeniami indukcyjnymi. Charakteryzujący się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym -100 V oraz prądem kolektora IC do -15 A, umożliwia obsługę znacznych mocy. Części elektroniczne, takie jak TIP147, znajdują szerokie zastosowanie w projektowaniu zaawansowanych systemów elektronicznych.