Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 8902
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 10376
Stan magazynowy: w magazynie
Para tranzystorów SAP17NO / SAP17PO, zaprojektowana do zastosowań w zaawansowanych układach audio, charakteryzuje się komplementarną symetrią n-p-n oraz p-n-p. Oferują stabilną pracę przy wysokich napięciach oraz prądach, co czyni je idealnymi do zastosowań w końcówkach mocy. Dzięki precyzyjnie dobranym parametrom, umożliwiają optymalizację wydajności systemów audio. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na naszej stronie.
ID produktu: 10377
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor SSH25N40 METAL, będący elementem półprzewodnikowym, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 400V oraz prądem drenu Id=25A. Urządzenie to, z kategorii części elektronicznych, operuje w temperaturze od -55°C do +150°C, zapewniając wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy.
ID produktu: 9348
Stan magazynowy: w magazynie
Model ST2310FX, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, charakteryzuje się napięciem przebicia VCEO wynoszącym 100V oraz prądem kolektora IC maksymalnym na poziomie 10A. Urządzenie zaprojektowano z myślą o zastosowaniach w przekształtnikach częstotliwości oraz innych urządzeniach elektronicznych wymagających stabilnej pracy przy wysokich obciążeniach. W częściach elektronicznych tego typu, kluczowe jest zachowanie precyzji w trakcie przepływu dużych prądów.
ID produktu: 9744
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor ST8812FX, zaliczany do kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się strukturą NPN, zdolnością do pracy przy maksymalnym napięciu kolektora Vce wynoszącym 600V oraz prądem kolektora Ic do 12A. Urządzenie to znajduje zastosowanie głównie w układach zasilających, przekształtnikach oraz innych aplikacjach wymagających wysokich parametrów przełączania.
ID produktu: 8708
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STP16NE06FP, zamknięty w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=60V, prądem drenu Id=16A oraz niską rezystancją kanału Rds(on) przy 10V Vgs, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wysokoprądowych. Wysoka zdolność do przewodzenia prądu oraz efektywna termiczna konstrukcja obudowy umożliwiają efektywne rozpraszanie ciepła. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w układach zasilania, sterowania silnikami i przetwarzania mocy.
ID produktu: 10378
Stan magazynowy: w magazynie
Model STP3NK80Z, w obudowie TO-220, to tranzystor MOSFET typu N, charakteryzujący się maksymalnym napięciem drenu-source VDS wynoszącym 800V oraz prądem drenu ID na poziomie 3A. Urządzenie to zapewnia niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach zasilających. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości.
ID produktu: 10460
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STP4NK60Z METAL, będący elementem półprzewodnikowym w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 4A. Urządzenie to, wykorzystując technologię MDmesh™, zapewnia zredukowane straty mocy i zwiększoną efektywność energetyczną. Integralną częścią specyfikacji jest również niski opór w stanie przewodzenia RDS(on), co czyni go odpowiednim do zastosowań w przekształtnikach wysokiej częstotliwości. Dla konstruktorów części elektronicznych istotne będzie również, że tranzystor ten zapewnia zabezpieczenie przed efektem lawinowym, zwiększając tym samym niezawodność aplikacji.
ID produktu: 10476
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STP5NK50ZFP, zamknięty w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem przewodzenia 500V oraz prądem drenu 4.4A. Dedykowany dla aplikacji wysokonapięciowych, posiada zintegrowaną ochronę przeciwprzepięciową. Znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnego przełączania.
ID produktu: 8709
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STP6NC60 METAL typu MOSFET, charakteryzujący się napięciem przebicia Vds wynoszącym 600V oraz prądem Id do 6A, zapewnia wysoką wydajność w obudowie TO-220. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w częściach elektronicznych, wykorzystuje zaawansowaną technologię MDmesh™ dla zminimalizowania strat mocy, co jest istotne w aplikacjach o wysokiej efektywności energetycznej.