Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 9600
Stan magazynowy: w magazynie
Model RJK5020, z obudową TO-3PN, to wysokonapięciowy tranzystor MOSFET zapewniający doskonałą wydajność przy prądzie drenu do 20A oraz napięciu pracy 500V. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. Idealny do zastosowań w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach i szerokiej gamie części elektronicznych.
ID produktu: 8700
Stan magazynowy: w magazynie
Model S2000A, bipolarny tranzystor NPN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 3A. Urządzenie zaprojektowano z myślą o aplikacjach o średniej mocy. W strukturze tranzystora zastosowano technologię planarną, co przekłada się na jego stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur. W kontekście części elektronicznych, S2000A znajduje zastosowanie głównie w układach wzmacniających i przełączających.
ID produktu: 8701
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor S2000AF, bipolarny, typu NPN, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających o średniej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 3A. Wysoka częstotliwość pracy oraz niewielkie nasycenie VCE sprawiają, że jest on odpowiedni do zastosowań w zaawansowanych częściach elektronicznych.
ID produktu: 8702
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor S2000N, charakteryzujący się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką efektywnością prądową, jest elementem niezbędnym w zaawansowanych układach sterowania. Jego parametry pozwalają na efektywne przełączanie w obwodach o zwiększonych wymaganiach termicznych. Współpracuje z szerokim zakresem napięć, co czyni go kompatybilnym z różnorodnymi częściami elektronicznymi. Jego zastosowanie znajduje się przede wszystkim w przemyśle telekomunikacyjnym i komputerowym.
ID produktu: 9345
Stan magazynowy: w magazynie
Model S2055AF, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-3PF), charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokich napięciach oraz prądach. Jego parametry elektryczne pozwalają na zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych. Dostępność tego komponentu w ofercie części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi systemami.
ID produktu: 8703
Stan magazynowy: w magazynie
Model S2055N, tranzystor bipolarny mocy NPN, zamknięty w obudowie TO-3PF, zapewnia wysoką wydajność w aplikacjach o dużej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 800V oraz prądem kolektora IC o maksymalnej wartości 20A. Dedykowany dla układów przetwarzania energii, oferuje także zintegrowaną ochronę termiczną. Dostępny w ofercie części elektronicznych dla zaawansowanych projektów inżynierskich.
ID produktu: 9346
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor SAP08N, będący elementem półprzewodnikowym, charakteryzuje się napięciem przebicia BVceo wynoszącym 60V oraz prądem kolektora Ic max osiągającym 4A. Element ten, stosowany głównie w aplikacjach audio, wykazuje również hfe (wzmocnienie prądowe) w zakresie 100-630. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych SAP08N oferuje stabilność termiczną oraz efektywność w układach wzmacniaczy mocy.
ID produktu: 10375
Stan magazynowy: w magazynie
Para tranzystorów SAP08NY / SAP08PY charakteryzuje się komplementarną konstrukcją NPN/PNP, zapewniającą wysoką efektywność w aplikacjach audio. Oferują one zintegrowaną ochronę termiczną i są przeznaczone do pracy w układach wzmocnienia mocy. Dzięki precyzyjnie dobranym parametrom elektrycznym, te części elektroniczne znajdują zastosowanie w zaawansowanych systemach audiofilskich.
ID produktu: 9962
Stan magazynowy: w magazynie
Para tranzystorów SAP10NO/SAP10PO, zaprojektowana do zastosowań w układach audio o wysokiej mocy, charakteryzuje się komplementarną strukturą NPN/PNP. Oferują one wysoką prędkość przełączania oraz niskie napięcie nasycenia, co czyni je idealnymi do zastosowań w końcówkach mocy. Dostępne jako części elektroniczne o wysokiej niezawodności.
ID produktu: 6497
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor SAP15N, bipolarny, z wbudowanym rezystorem emiterowym, charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 160V oraz prądem kolektora IC do 15A. Odpowiedni dla aplikacji audio o wysokiej mocy, ten komponent jest częścią kluczową w konstrukcjach wzmacniaczy mocy. Dostępność tych części elektronicznych znacząco wpływa na wybór schematu aplikacyjnego.