ID produktu: 11157
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STP9NC60 METAL typu MOSFET, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 9A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on). Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych, STP9NC60 METAL oferuje stabilną pracę przy zwiększonych temperaturach, co sprawia, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych projektach elektronicznych.
ID produktu: 11126
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 9NC80Z METAL, z obudową TO-247, jest elementem półprzewodnikowym o wysokiej mocy, przeznaczonym do zastosowań w układach elektronicznych wymagających efektywnej regulacji prądu. Charakteryzuje się niskimi stratami przełączania oraz wysoką szybkością pracy. Idealny dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych, takich jak przetwornice częstotliwości czy układy zasilające.
ID produktu: 11128
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BDV65C, z obudową TO-3PN, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokich napięciach oraz prądach. Jako bipolarny tranzystor mocy, znajduje zastosowanie w aplikacjach wymagających stabilnej regulacji prądu. Dzięki swojej konstrukcji, umożliwia efektywne rozpraszanie ciepła, co jest kluczowe w zaawansowanych układach elektronicznych. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć online.
ID produktu: 11129
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BDW83C, z obudową typu TO3-PN, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokich napięciach oraz prądach. Jako element półprzewodnikowy, znajduje zastosowanie w zaawansowanych aplikacjach przemysłowych, w tym w układach sterowania mocą. Jego parametry umożliwiają efektywne przełączanie i regulację w obwodach elektronicznych. Dostępność części elektronicznych takich jak BDW83C pozwala na budowę niezawodnych i wydajnych systemów.
ID produktu: 10114
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BDW84D, z obudową TO-3PN, jest bipolarnym tranzystorem PNP o dużej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 100V oraz prądem kolektora IC do 15A. Dedykowany do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy, przetwornic i innych części elektronicznych wymagających stabilnej pracy przy wysokich obciążeniach.
ID produktu: 11131
Stan magazynowy: w magazynie
BDY58, tranzystor bipolarny NPN w obudowie TO-3, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokich napięciach oraz prądach. Jego maksymalne napięcie kolektor-emiter wynosi 140V, a maksymalny prąd kolektora to 10A. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, w tym w układach zasilających i przekaźnikach. Części elektroniczne takie jak BDY58 są kluczowe dla wielu urządzeń elektronicznych, wymagających niezawodności i wydajności w trudnych warunkach pracy.
ID produktu: 11132
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BF479, należący do kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się wysoką częstotliwością pracy, przystosowany do zastosowań w układach VHF. Jako komponent bipolarny, typ NPN, oferuje napięcie przebicia kolektor-emiter wynoszące 250V, przy maksymalnym prądzie kolektora 0.1A. Specyfika tego elementu znajduje odzwierciedlenie w zastosowaniach wymagających stabilnej pracy przy wysokich częstotliwościach.
ID produktu: 11133
Stan magazynowy: w magazynie
Model BSS44, będący elementem z kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się strukturą typu NPN. Pracuje w zakresie wysokich częstotliwości, oferując niskie napięcie nasycenia. Jego maksymalny prąd kolektora nie przekracza 100 mA, a napięcie kolektor-emiter wynosi do 50 V. Tranzystor ten znajduje zastosowanie głównie w układach przełączających i wzmacniaczach niskoszumowych.
ID produktu: 11134
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BT134-600E, klasyfikowany jako triak, charakteryzuje się maksymalnym napięciem pracy 600V oraz prądem 4A. W obszarze zastosowań dominują aplikacje sterowania fazowego i regulacji mocy w obwodach AC. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych, ten komponent oferuje standardową izolację oraz obudowę typu TO-220, co ułatwia montaż oraz integrację z różnorodnymi układami elektronicznymi.
ID produktu: 11135
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUH100 w obudowie METAL (TO-220) charakteryzuje się bipolarną strukturą NPN, zdolny do pracy w szerokim zakresie temperatur. Przeznaczony do zastosowań w układach przemysłowych, wykazuje parametry takie jak maksymalne napięcie kolektor-emiter wynoszące 60V oraz maksymalny prąd kolektora 8A. Dedykowany dla aplikacji wymagających stabilnej pracy w warunkach wysokiej mocy. Więcej informacji o częściach elektronicznych dostępnych w ofercie.