Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 11193
Stan magazynowy: w magazynie
Model 5N50, z obudową TO-220F, to tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany do pracy w układach o wysokim napięciu. Charakteryzuje się prądem drenu Id=5A oraz maksymalnym napięciem dren-źródło Vds=500V. Oferuje niską rezystancję kanału przy Vgs=10V, co przekłada się na efektywność w aplikacjach przemysłowych. Znajdziesz go w ofercie części elektronicznych.
ID produktu: 11192
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ102SL SMD, obudowa typu D2PAK, to element półprzewodnikowy N-MOSFET, charakteryzujący się napięciem pracy do 55V oraz prądem drenu Id do 55A. Wysoka odporność termiczna i niskie RDS(on) zapewniają efektywną pracę w aplikacjach wysokoprądowych. Idealny do zastosowań w przekształtnikach mocy, przekaźnikach oraz sterownikach silników. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na stronie.
ID produktu: 8672
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFP450 w obudowie TO-247 to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, charakteryzujący się napięciem przebicia dren-źródło wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID równym 14A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilających, przekształtnikach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających wysokiej wydajności prądowej i napięciowej. Dostęp do szerokiego asortymentu części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi układami.
ID produktu: 11191
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STP16NF06 METAL, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 60V oraz prądem drenu ID na poziomie 16A. Urządzenie to, z kanałem typu N, zapewnia niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co jest kluczowe dla aplikacji o wysokiej efektywności. Wysoka szybkość przełączania oraz termiczna wytrzymałość obudowy TO-220 zapewniają niezawodność w trudnych warunkach pracy. Dostęp do szerokiej gamy części elektronicznych umożliwia efektywną integrację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
ID produktu: 11264
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 11N60 PLASTIC, zamknięty w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 600V oraz prądem drenu o wartości 11A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, operuje w zakresie temperatur od -55°C do +150°C, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wymagających wysokiej wydajności termicznej.
ID produktu: 11208
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 140NF55 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia i wysoką prędkością przełączania. Przeznaczony do zastosowań w układach o dużej mocy, efektywnie zarządza przepływem prądu. Dostępność części elektronicznych umożliwia integrację w zaawansowanych projektach elektroniki.
ID produktu: 11209
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor 140NF75 w obudowie TO-220 charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 75V oraz prądem drenu ID o maksymalnej wartości 140A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest przeznaczone do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających, oferując niskie RDS(on) dla zwiększenia efektywności energetycznej.
ID produktu: 11210
Stan magazynowy: w magazynie
Model 14NF12P, wykonany w obudowie TO-220F, jest tranzystorem polowego typu N-MOSFET, charakteryzującym się napięciem drenu do źródła VDS = 120V oraz prądem drenu ID = 14A. Jego niska rezystancja kanału RDS(on) zapewnia efektywną pracę w obwodach przełączających. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych i systemach sterowania silnikami.
ID produktu: 11211
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 11213
Stan magazynowy: w magazynie
Model G20N50C, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem maksymalnym 20A, zapewniając efektywną komutację w obwodach o wysokim napięciu. Obudowa TO-247 zapewnia optymalne rozpraszanie ciepła. Znajdź więcej informacji o częściach elektronicznych w naszej ofercie.