Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 11417
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC3419Y, z obudową typu TO-220F, stanowi bipolarny tranzystor NPN o wysokiej zdolności przenoszenia prądu. Charakteryzuje się napięciem kolektor-emiter wynoszącym maksymalnie 150V oraz prądem kolektora do 1.5A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających. Jego parametry zapewniają efektywną pracę w środowiskach o zwiększonych wymaganiach termicznych.
ID produktu: 11418
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC3852, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), jest półprzewodnikowym elementem dyskretnym, przeznaczonym do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy i przekształtników. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 800V oraz prądem kolektora IC do 3A. Jego zastosowanie znajduje odniesienie w szerokim spektrum urządzeń elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka wydajność i niezawodność. Współpracuje z częściami elektronicznymi w układach zarówno analogowych, jak i cyfrowych.
ID produktu: 11419
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC4883A, tranzystor bipolarny NPN, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy napięciu kolektora do 160V oraz prądzie kolektora do 1.5A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w układach wzmacniaczy mocy i przetwornic. Specyfika tego komponentu pozwala na efektywną regulację przepływu prądu, co czyni go kluczowym elementem w projektowaniu zaawansowanych części elektronicznych.
ID produktu: 11420
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC4977, bipolarny, NPN, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy i przetworników częstotliwości. Charakteryzuje się wysoką wartością maksymalnej dopuszczalnej mocy oraz napięcia przebicia kolektor-emiter. Idealny dla zaawansowanych części elektronicznych wymagających stabilności i efektywności w szerokim zakresie temperatur. Parametry graniczne określają maksymalne napięcie Uce: 150V, prąd kolektora Ic: 1.5A, oraz moc Ptot: 25W.
ID produktu: 11421
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC5928, bipolarny, NPN, przeznaczony do zastosowań w wysokoczęstotliwościowych układach wzmacniających, charakteryzuje się wysoką mocą wyjściową oraz niskim współczynnikiem szumów. Prąd kolektora Ic(max) wynosi 100mA, a napięcie kolektor-emiter Vce(max) to 20V. Dostępny w obudowie TO-92LB, jest kompatybilny z szerokim zakresem części elektronicznych.
ID produktu: 11423
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SD1289, zawarty w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (Vce) wynoszącym 80V oraz maksymalnym prądem kolektora (Ic) osiągającym 3A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w wielu częściach elektronicznych, wykazuje także niskie nasycenie napięcia Vce(sat), co przekłada się na jego efektywność w aplikacjach o wysokiej gęstości mocy.
ID produktu: 11425
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 11426
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SD953, wykonany w obudowie METAL (TO-3), jest bipolarnym tranzystorem NPN o wysokiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 6A. Jego zastosowanie znajduje przede wszystkim w układach wzmacniaczy mocy oraz przetwornic. Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację z różnorodnymi układami.
ID produktu: 11428
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1119, w obudowie METAL (TO-220), to element półprzewodnikowy N-Channel MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach przetwarzania mocy. Charakteryzuje się wysokim napięciem przebicia V(DSS) oraz umiarkowaną wartością prądu drenu I(D). Dzięki konstrukcji w obudowie TO-220 zapewnia efektywną dystrybucję ciepła. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych oraz układach przekształtnikowych.
ID produktu: 11429
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1740, będący elementem półprzewodnikowym typu MOSFET, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia dren-źródło (Vds), co zapewnia efektywną pracę w układach o wysokich częstotliwościach. Jego struktura pozwala na osiąganie dużej mocy przy zachowaniu minimalnych strat, co jest kluczowe w zaawansowanych aplikacjach elektronicznych. Dostępność w częściach elektronicznych ułatwia integrację z różnorodnymi układami.