Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 11431
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1985 to element półprzewodnikowy typu MOSFET N-kanałowy, charakteryzujący się napięciem dren-źródło Vds=900V, prądem drenu Id=3A oraz rezystancją w stanie załączenia Rds(on) maksymalnie 3.5?. Znajduje zastosowanie w aplikacjach wysokonapięciowych. Więcej na temat części elektronicznych można znaleźć w naszej ofercie.
ID produktu: 11432
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2381, z obudową TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła (Vds) wynoszącym 900V oraz prądem drenu (Id) na poziomie 3A. Urządzenie typu N-MOSFET, zapewnia wysoką efektywność przy minimalizacji strat mocy, co jest kluczowe dla aplikacji przełączających. Dedykowany dla zaawansowanych układów elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych oraz przetwornicach. Więcej informacji o częściach elektronicznych dostępnych na rynku.
ID produktu: 11433
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2399, będący elementem półprzewodnikowym typu N-MOSFET, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia dren-źródło V(DSS) wynoszącym 600V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 2A. Przeznaczony do zastosowań w układach przetwarzania mocy, ten komponent jest często wykorzystywany w przemyśle części elektronicznych. Jego obudowa TO-220AB zapewnia optymalne rozpraszanie ciepła.
ID produktu: 11434
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2674, zaliczany do grupy tranzystorów MOSFET o kanałach N, charakteryzuje się maksymalną wartością napięcia dren-źródło VDS wynoszącą 600V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 6A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, począwszy od zasilaczy impulsowych, przez przekształtniki częstotliwości, aż po zaawansowane układy sterowania silnikami. Wysoka sprawność i niezawodność sprawiają, że jest często wybierany przez projektantów części elektronicznych.
ID produktu: 11435
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK330Y, w obudowie TO-92, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds do 50V, prądem drenu Id do 100mA oraz mocą strat Pd do 400mW. Urządzenie to, jako element z grupy części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, układach przełączających oraz w aplikacjach sygnałowych. Jego parametry gwarantują stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 11451
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 30F131 SMD, z obudową typu TO-263, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła wynoszącym 300V oraz prądem drenu ID=30A. Jego niski poziom rezystancji w stanie przewodzenia, Rds(on), zapewnia efektywną pracę w układach zasilających. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami.
ID produktu: 11599
Stan magazynowy: w magazynie
Model 40N60B PLASTIC, tranzystor typu N-MOSFET, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła (Vds) wynoszącym 600V oraz prądem drenu (Id) na poziomie 40A, przy temperaturze pracy w zakresie od -55°C do +150°C. Obudowa TO-220F zapewnia optymalne rozpraszanie ciepła. Zastosowanie znajduje w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zasilania oraz przekształtnikach częstotliwości.
ID produktu: 11436
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystory 4435GJ / 40T03GJ, stanowiące parę, charakteryzują się MOSFET typu P-Channel, z maksymalnym napięciem Vds wynoszącym 30V oraz prądem Id do 40A. Znajdują zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji wymagających efektywnej komutacji. Warto wspomnieć o niskiej rezystancji kanału, co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć na stronie.
ID produktu: 11465
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 9NC60FP w obudowie PLASTIC (TO-220F) charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID równym 6A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykorzystuje technologię PowerMESH™, zapewniającą zredukowane straty przełączania i on-state resistance. Specyfikacja obejmuje również zintegrowaną diodę typu Fast Recovery.
ID produktu: 11441
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD138, w obudowie TO-126, jest bipolarnym tranzystorem PNP o maksymalnej dopuszczalnej mocy rozpraszanej PTOT równającej się 12.5W. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektor-emiter VCEO na poziomie 80V oraz maksymalnym prądem kolektora IC wynoszącym 1.5A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, począwszy od wzmacniaczy mocy po układy przełączające. Szczegółowe informacje o częściach elektronicznych można znaleźć na dedykowanej stronie.