Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 11840
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 30ETH06, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem przewodzenia V_DS maksymalnym na poziomie 600V oraz prądem drenu I_D równym 30A. Urządzenie to, dedykowane dla aplikacji o wysokiej wydajności, zapewnia niskie V_DS(on) przy zachowaniu wysokiej szybkości przełączania. Element ten jest często wykorzystywany w zaawansowanych częściach elektronicznych do konwersji energii. Specyfikacja obejmuje także maksymalną moc strat P_D wynoszącą 125W, co pozwala na efektywne zarządzanie ciepłem w trakcie pracy urządzenia.
ID produktu: 11865
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor GT30J324, w obudowie TO-3PN, to element półprzewodnikowy typu NPN, przeznaczony do zastosowań w układach przekształtnikowych o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCE wynoszącym 600V oraz prądem kolektora IC na poziomie 30A. Dzięki zastosowaniu technologii planarnej, tranzystor ten zapewnia doskonałą szybkość przełączania oraz niskie straty mocy. Wymienione parametry czynią go odpowiednim do efektywnego sterowania w zaawansowanych częściach elektronicznych.
ID produktu: 11449
Stan magazynowy: w magazynie
Model FQP30N06 to tranzystor typu MOSFET N-Channel, zaprojektowany do pracy w obudowie TO-220, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 60V oraz maksymalnym prądem drenu ID na poziomie 30A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zasilania, sterowania silnikami oraz w przekształtnikach mocy. Dzięki zastosowaniu technologii MOSFET, tranzystor ten oferuje wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy.
ID produktu: 12024
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 30N06L SMD, będący elementem z rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem pracy do 60V oraz prądem drenu 30A. Ze względu na niską rezystancję w stanie przewodzenia, znajduje zastosowanie w wysokowydajnych przetwornicach. Konstrukcja typu SMD umożliwia montaż powierzchniowy, co jest preferowane w kompaktowych układach elektronicznych. Dla profesjonalistów poszukujących części elektronicznych, 30N06L oferuje stabilność termiczną oraz efektywność w zarządzaniu mocą.
ID produktu: 11841
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IXFH36N50P, z obudową typu TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID równym 36A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje również niską rezystancję kanału RDS(on), co przekłada się na jego efektywność w aplikacjach wysokonapięciowych.
ID produktu: 11439
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor AP40T03GJ SMD, oznaczony również jako 40T03GJ, wykorzystuje obudowę TO-252 dla optymalizacji termicznej i mechanicznej. Charakteryzuje się napięciem pracy do 30V oraz prądem drenu Id do 28A, co pozwala na efektywne przełączanie i regulację w aplikacjach o wysokim natężeniu. Dzięki technologii SMD, komponent ten jest przystosowany do montażu powierzchniowego, co ułatwia integrację z innymi częściami elektronicznymi na płytce drukowanej.
ID produktu: 11869
Stan magazynowy: w magazynie
AP4455GEH to tranzystor polowy typu MOSFET, zaprojektowany do zastosowań w obwodach przełączających. Charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 30V oraz prądem drenu ID do 12A. W obudowie SMD (TO-252) gwarantuje dobry transfer ciepła oraz minimalizację rezystancji termicznej. Idealnie nadaje się do zintegrowanych układów elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka efektywność i niezawodność. Dostępny jest w ofercie części elektronicznych.
ID produktu: 11842
Stan magazynowy: w magazynie
BC557C, bipolarny tranzystor PNP w obudowie TO-92, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektor-emiter VCEO równym 45V, prądem kolektora IC do 100mA oraz wzmocnieniem prądowym hFE w zakresie 420 do 800. Jest powszechnie stosowany w aplikacjach przełączających i wzmacniaczach niskiej mocy. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz online.
ID produktu: 11843
Stan magazynowy: w magazynie
BD436, charakteryzujący się obudową TO-126, to tranzystor PNP o średniej mocy. Znajduje zastosowanie w różnorodnych aplikacjach w zakresie wzmacniaczy audio i obwodów przełączających. Jego maksymalna dopuszczalna moc wynosi 36W, a napięcie kolektor-emiter to -32V. Dla osób poszukujących części elektronicznych, BD436 oferuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 11844
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD649, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się zdolnością do pracy w średnich mocach. Jako półprzewodnikowy element przełączający, znajduje zastosowanie w różnorodnych układach elektronicznych. Dzięki parametrom, takim jak maksymalne napięcie kolektora-emitera wynoszące 80V oraz prąd kolektora do 8A, umożliwia efektywne sterowanie obciążeniem. Element ten jest często wykorzystywany w aplikacjach audio, zasilaczach i sterownikach mocy. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć online.