Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12237
Stan magazynowy: w magazynie
Model AP9962GH, będący tranzystorem polowym MOSFET typu N, zaprojektowano w obudowie SMD TO-252. Charakteryzuje się on niską rezystancją kanału przy Vgs=10V, co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Przeznaczenie tego komponentu znajduje szerokie zastosowanie w układach zarządzania mocą, gdzie kluczowe jest minimalizowanie strat. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych AP9962GH oferuje zarówno wydajność, jak i niezawodność, będąc kompatybilnym z wieloma standardami montażowymi.
ID produktu: 12177
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 04N60C3, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem przebicia VDS = 600V oraz prądem drenu ID = 4.5A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niskie RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Specyfikacja obejmuje także czas włączania i wyłączania, odpowiednio ton i toff, co jest istotne przy projektowaniu układów zasilających.
ID produktu: 12178
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 12NA50 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem maksymalnym na poziomie 12A. Dedykowany dla aplikacji wymagających wysokiej wydajności prądowej oraz stabilności termicznej. Jego konstrukcja metalowa zapewnia doskonałą odporność na wysokie temperatury. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania i przetwarzania energii. Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację w projektach przemysłowych.
ID produktu: 12179
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FQP16N25C, w obudowie typu TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 250V oraz prądem drenu ID o wartości 16A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykorzystuje technologię MOSFET, zapewniającą wysoką wydajność przy minimalnych stratach mocy. Specyfikacja obejmuje również niską rezystancję kanału RDS(on), co przekłada się na lepszą efektywność w aplikacjach przełączających.
ID produktu: 12180
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 26NM60 (W26NM60), w obudowie METAL (TO-247), charakteryzuje się napięciem przebicia Vds wynoszącym 600V oraz prądem drenu Id do 20A. Jego Rds(on) wynosi typowo 0.165?, co świadczy o niskich stratach mocy. Wysoka wydajność termiczna i elektryczna tego komponentu znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przetwarzania energii. Więcej informacji o częściach elektronicznych dostępnych w naszej ofercie.
ID produktu: 12181
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1142, zamknięty w obudowie TO-126, jest półprzewodnikowym komponentem bipolarnym typu PNP. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora (VCBO) wynoszącym 160V, prądem kolektora (IC) do 1A oraz mocą strat (PT) równą 900mW. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniacza audio i sterowania silnikami.
ID produktu: 12182
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1249, w obudowie TO-126, jest półprzewodnikowym elementem dyskretnym, charakteryzującym się niskim poziomem szumów oraz wysoką liniowością. Przeznaczony głównie do aplikacji audiofonicznych, ten bipolarny tranzystor PNP operuje w szerokim zakresie temperatur. W jego specyfikacji technicznej uwagę zwraca także maksymalne napięcie kolektor-emiter wynoszące 120V oraz maksymalny prąd kolektora do 1A. Dostępność tego komponentu zapewniają części elektroniczne dostępne na rynku.
ID produktu: 12183
Stan magazynowy: w magazynie
Para komplementarna tranzystorów 2SA1303 i 2SC3284 w obudowie TO-3PN, dedykowana do zastosowań w wysokonapięciowych układach audio. Charakteryzująca się wysoką mocą wyjściową oraz efektywnym rozpraszaniem ciepła, stanowi kluczowy element w konstrukcji zaawansowanych wzmacniaczy mocy. Dostępność tych części elektronicznych umożliwia precyzyjne dostosowanie charakterystyk pracy urządzeń końcowych.
ID produktu: 12184
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1489, w obudowie TO-3PN, jest bipolarnym tranzystorem PNP, przeznaczonym do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy i przetwornic. Charakteryzuje się wysoką mocą wyjściową oraz niskim napięciem nasycenia. Prąd kolektora może osiągnąć wartości do 15A, przy napięciu kolektor-emiter wynoszącym do 160V. Wysoka częstotliwość pracy oraz zdolność do szybkiego przełączania czynią go odpowiednim dla zaawansowanych części elektronicznych.
ID produktu: 12185
Stan magazynowy: w magazynie
Para komplementarna tranzystorów mocy 2SA1491 i 2SC3855 charakteryzuje się wysoką mocą wyjściową oraz niskim współczynnikiem nasycenia. Przeznaczone do stosowania w zaawansowanych aplikacjach audio, te części elektroniczne zapewniają doskonałą liniowość oraz stabilność parametrów w szerokim zakresie temperatur. Ich specyfikacja obejmuje duże napięcie przebicia oraz długą żywotność, co przekłada się na niezawodność w wymagających układach.