Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12629
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystory SAP17NY / SAP17PY reprezentują parę komplementarną, przeznaczoną do zastosowań w układach audio o wysokiej mocy. Charakteryzują się niskim napięciem nasycenia oraz długoterminową stabilnością parametrów. Właściwości te czynią je niezastąpionymi w precyzyjnych aplikacjach audio. Dostępność tych części elektronicznych jest kluczowa dla projektantów systemów audio.
ID produktu: 12702
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
ID produktu: 12714
Stan magazynowy: w magazynie
Model BU508AS2H to wysokonapięciowy tranzystor przełączający NPN, zaprojektowany do zastosowań w układach poziomych telewizyjnych. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO równym 1500V oraz prądem kolektora IC do 8A. Jego zastosowanie znajduje również w częściach elektronicznych wymagających szybkiego przełączania przy wysokich napięciach. Obudowa typu SOT-199 zapewnia optymalną dyssypację ciepła.
ID produktu: 12751
Stan magazynowy: w magazynie
Model 13N10, realizowany w obudowie TO-220, to tranzystor typu MOSFET o charakterystyce N-kanałowej, zaprojektowany do zastosowań w układach o wysokiej wydajności. Przy napięciu drenu do źródła VDS wynoszącym 100V, tranzystor ten jest zdolny do przewodzenia prądu o wartości do 13A. Z uwagi na swoją konstrukcję, znajduje szerokie zastosowanie w przetwornicach mocy, układach sterowania silnikami oraz innych częściach elektronicznych, gdzie kluczowa jest efektywność i niezawodność.
ID produktu: 12753
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 18NM60N PLASTIC, z obudową typu TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 18A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o wysokiej efektywności i niezawodności w aplikacjach przemysłowych, wykorzystuje zaawansowaną technologię MDmesh™ II. Oferuje niskie VGS(th) oraz RDS(on), co minimalizuje straty mocy. Więcej na temat części elektronicznych można znaleźć w naszej ofercie.
ID produktu: 12754
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STP19N06, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS = 60V oraz prądem drenu ID = 19A. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on), maksymalizuje efektywność i zmniejsza straty cieplne. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilania i przełączania.
ID produktu: 12803
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 12755
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 24NM60N PLASTIC, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem przewodzenia Vds wynoszącym 600V oraz prądem Id do 24A. Urządzenie to, dzięki zastosowaniu technologii MDmesh™, zapewnia zredukowane straty przełączania i niższą rezystancję kanału ON. Idealnie nadaje się do zastosowań w przetwornicach częstotliwości, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających wysokiej efektywności energetycznej.
ID produktu: 12756
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2N4401, w obudowie TO-92, to bipolarny tranzystor NPN o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 40V, prądzie kolektora do 600mA oraz wzmocnieniu prądowym beta w zakresie 100-300. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach przełączających i wzmacniaczach niskiej mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia i szybkim czasem przełączania.
ID produktu: 12757
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2N5401, w obudowie TO-92, to element PNP o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 150V oraz prądzie kolektora do 600mA. Charakteryzuje się wysokim wzmocnieniem prądowym (hFE), które oscyluje w zakresie od 40 do 200 przy Ic=2mA. Jest często wykorzystywany w aplikacjach sygnałowych, w układach wzmacniaczy niskoszumowych oraz jako element przełączający. Dostępność tego komponentu oraz innych części elektronicznych jest kluczowa dla projektantów układów elektronicznych.