Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12479
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD336, zaprojektowany w obudowie TO-126, charakteryzuje się bipolarnym typem przewodnictwa. Przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniacza mocy, wykazuje parametry takie jak maksymalna dopuszczalna moc rozpraszania oraz określony zakres napięć kolektor-emiter. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych, BD336 oferuje stabilne działanie w szerokim spektrum temperatur. Jego selekcja jest krytyczna dla aplikacji wymagających niezawodnej regulacji prądowej.
ID produktu: 12480
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 12481
Stan magazynowy: w magazynie
Model BU326A, tranzystor w obudowie TO-3, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokich napięciach. Jego główne zastosowanie znajduje w układach przełączających o dużej mocy. Dzięki precyzyjnie dobranej konstrukcji, zapewnia stabilność termiczną i elektryczną. W częściach elektronicznych tego typu, kluczowe jest zachowanie odpowiedniej efektywności przy minimalizacji strat energii.
ID produktu: 12482
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUK452-600B METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie do 6A. Jego maksymalna moc rozpraszana PD oscyluje w granicach 75W. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przełączających, oferując szybką responsywność i niezawodność w szerokim zakresie temperatur pracy.
ID produktu: 12483
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ358 METAL (TO-3PN) to komponent półprzewodnikowy mocy, charakteryzujący się obudową metalową typu TO-3PN, zapewniającą doskonałą odporność termiczną oraz mechaniczną. Urządzenie to operuje w zakresie wysokich napięć i prądów, co czyni go odpowiednim do zastosowań w układach sterowania silnikami, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających stabilnej pracy w trudnych warunkach.
ID produktu: 12484
Stan magazynowy: w magazynie
Model DG501RP, wykonany w obudowie PLASTIC TO-220F, jest tranzystorem przeznaczonym do zastosowań w układach o średniej mocy. Charakteryzuje się napięciem przebicia V(BR)CEO, co pozwala na jego implementację w szerokim zakresie aplikacji elektronicznych. Dzięki parametrom, takim jak maksymalny prąd kolektora oraz napięcie kolektor-emiter, znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, od zasilaczy po układy komutacyjne.
ID produktu: 12485
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFB23N20D, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 200V, prądem drenu ID na poziomie 23A oraz rezystancją kanału RDS(on) równą 0.085?. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji przemysłowych, w tym w przekształtnikach mocy i systemach zarządzania energią.
ID produktu: 12486
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFB3607 METAL, w obudowie TO-220, to element półprzewodnikowy N-MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 75V oraz prądem drenu ID maksymalnym na poziomie 80A. Urządzenie to, ze względu na niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach mocy, systemach zasilania i sterowania silnikami.
ID produktu: 12487
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFIZ44 w obudowie PLASTIC (TO-220F) charakteryzuje się n-channel MOSFET technologią, zapewniającą wysoką wydajność przy zastosowaniach o dużej mocy. Zintegrowany w strukturze tranzystora moduł umożliwia efektywną komutację w układach elektronicznych. Dzięki swojej konstrukcji, IRFIZ44 znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, od zasilaczy impulsowych po przetwornice częstotliwości. Wysoka odporność na przepięcia oraz zdolność do pracy przy wysokich temperaturach czynią go niezastąpionym elementem w częściach elektronicznych wymagających niezawodności i stabilności.
ID produktu: 12488
Stan magazynowy: w magazynie
Model IRLR8743, będący elementem z kategorii części elektronicznych, to tranzystor typu MOSFET o konfiguracji N-kanałowej. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), maksymalnym napięciem dren-źródło VDSS wynoszącym 30V oraz prądem drenu ID do 160A. Zapakowany w obudowę SMD typu TO-252 D-PAK, przeznaczony jest do zastosowań w wysokowydajnych przetwornicach mocy.