Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12453
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SD2395, bipolarny tranzystor mocy NPN, zamknięty w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 3A. Urządzenie zaprojektowano z myślą o zastosowaniach w układach przełączających oraz wzmacniaczach mocy. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych stanowi kluczowy komponent w konstrukcji zaawansowanych systemów elektronicznych.
ID produktu: 12454
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SD347, wykonany w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się bipolarną strukturą NPN. Jego maksymalne napięcie kolektora-emitera wynosi 60V, a maksymalny prąd kolektora osiąga wartość do 3A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji w dziedzinie części elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.
ID produktu: 12455
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SD688 METAL, zamknięty w obudowie TO-3, jest elementem półprzewodnikowym o charakterystyce NPN, przeznaczonym do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy oraz przekaźników. Jego maksymalne napięcie kolektor-emiter wynosi 100V, a maksymalny prąd kolektora to 6A. Urządzenie to znajduje szerokie zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w systemach audio i zasilaniu.
ID produktu: 12456
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SD745, zamknięty w obudowie MT-200, charakteryzuje się zdolnością do obsługi wysokich napięć oraz prądów. Projektowany głównie do zastosowań w układach przemysłowych, wymaga precyzyjnego sterowania. Jego parametry, takie jak maksymalna moc rozpraszana, częstotliwość pracy oraz napięcie kolektor-emiter, czynią go odpowiednim do zaawansowanych aplikacji. Dostępność tego komponentu wśród części elektronicznych pozwala na integrację z różnorodnymi układami.
ID produktu: 12458
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 12459
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2642, zamknięty w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła Vds = 600V, prądem drenu Id = 6A oraz mocą strat Pd = 50W. Urządzenie typu N-MOSFET, przeznaczone do zastosowań w przekształtnikach i zasilaczach, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych jest to kluczowy komponent w projektowaniu efektywnych układów elektronicznych.
ID produktu: 12460
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK3377, wykonany w technologii SMD i zamknięty w obudowie typu TO-252, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia oraz wysoką prędkością przełączania. Jego parametry pozwalają na efektywne zastosowanie w układach o dużej częstotliwości. Warto również zwrócić uwagę na jego zdolność do pracy przy stosunkowo wysokich temperaturach. Dostępność tego komponentu w ofercie części elektronicznych umożliwia integrację z szerokim spektrum urządzeń elektronicznych.
ID produktu: 12461
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK3706, tranzystor typu MOSFET, cechuje się niskim napięciem przebicia dren-źródło V(DSS) wynoszącym 500V oraz niską rezystancją kanału R(DS)(on), co zapewnia efektywną pracę w obwodach o wysokim napięciu. Obudowa TO-220F gwarantuje dobre odprowadzanie ciepła. Idealny do zastosowań w przetwornicach mocy, regulatorach napięcia oraz innych częściach elektronicznych wymagających kluczowania o wysokiej częstotliwości.
ID produktu: 12462
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK845, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), jest tranzystorem typu MOSFET. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym i wysoką odpornością termiczną, co czyni go odpowiednim do aplikacji o wysokich wymaganiach energetycznych. Dedykowany przede wszystkim do zastosowań w układach zasilających, może być również wykorzystany w szerokim spektrum części elektronicznych. Posiada zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 12463
Stan magazynowy: w magazynie
Model GT30G124, w obudowie TO-220F, jest tranzystorem IGBT przeznaczonym do zastosowań w układach przekształtnikowych wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia i szybkim czasem wyłączania, co czyni go odpowiednim dla efektywnych rozwiązań w zakresie zarządzania mocą. Element ten znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy impulsowych po inwertery częstotliwości.