Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12465
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 32N50C3 METAL, w obudowie TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID do 32A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest przeznaczone do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających, oferując niskie VGS(th) i RDS(on).
ID produktu: 12467
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FQP40N60, znany również jako 40N60 METAL w obudowie TO-220, to półprzewodnikowy element przełączający o maksymalnym napięciu pracy 600V i prądzie 40A. Charakteryzuje się niskimi stratami przełączania oraz wysoką odpornością na impulsy prądowe. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających efektywnego sterowania dużymi prądami.
ID produktu: 12468
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 45F122, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem przebicia kolektora-emitera wynoszącym 600V oraz prądem kolektora do 5A. Jego zastosowanie znajduje odzwierciedlenie w układach przekształtnikowych i regulacji mocy. Dostępność części elektronicznych umożliwia integrację z szerokim spektrum urządzeń.
ID produktu: 12470
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IXFH50N20, z obudową TO-3PN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 200V oraz prądem drenu ID do 50A. Parametr RDS(on) tego elementu, określający rezystancję w stanie przewodzenia, jest niski, co przekłada się na efektywność pracy. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilania i przekształtnikach częstotliwości.
ID produktu: 12471
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor typu FQPF50N33, zamknięty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 330V oraz prądem drenu 50A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję w stanie przewodzenia, co przyczynia się do efektywnej pracy w układach zasilania.
ID produktu: 12478
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 75N07GP, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 75V oraz prądem drenu ID do 80A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających.
ID produktu: 12472
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Model 7N65C, znany także jako FQPF7N65C, to tranzystor MOSFET typu N, który charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło (Vds) wynoszącym 650V oraz maksymalnym prądem drenu (Id) na poziomie 7A. Obudowa TO-220F zapewnia efektywne rozpraszanie ciepła. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz innych aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania.
ID produktu: 12473
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 80N60 (FGH80N60) w obudowie TO-247 charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora o maksymalnej wartości 80A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w aplikacjach przemysłowych, wykorzystuje zaawansowaną technologię polowego tranzystora MOSFET, zapewniając wysoką efektywność i niezawodność w układach elektronicznych. Dostępność części elektronicznych na rynku umożliwia integrację w zaawansowanych projektach.
ID produktu: 12475
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor 9N65 (FQP9N65), w obudowie TO-220, jest elementem półprzewodnikowym typu MOSFET o maksymalnym napięciu drenu-source wynoszącym 650V oraz prądzie drenu 9A. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji przemysłowych. Dostępne części elektroniczne obejmują szeroki asortyment komponentów do budowy i naprawy urządzeń elektronicznych.
ID produktu: 12476
Stan magazynowy: w magazynie