Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12778
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3532, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się n-kanałową konstrukcją MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających. Zdolność do pracy przy napięciu dren-źródło wynoszącym maksymalnie 500V oraz prądzie drenu do 5A, czyni go odpowiednim dla szerokiej gamy części elektronicznych. Rdzeń wykonany z krzemu zapewnia stabilność termiczną oraz efektywność w przewodzeniu.
ID produktu: 12779
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3868, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem drenu-źródła (Vds) wynoszącym 500V oraz prądem drenu (Id) o wartości 5A. Specyfikacja techniczna obejmuje maksymalną moc strat (Pd) na poziomie 50W. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilania i przekształtnikach częstotliwości.
ID produktu: 12780
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Model 2SK851, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się konfiguracją N-kanalową, zapewniającą wysoką wydajność przy zastosowaniach mocy. Obudowa TO-3PN gwarantuje optymalne rozpraszanie ciepła. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, od zasilaczy po układy przekształtnikowe. W kontekście części elektronicznych, 2SK851 wyróżnia się stabilnością parametrów w szerokim zakresie temperatur pracy.
ID produktu: 12781
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 30F122, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora do 30A. Urządzenie to, stosowane w aplikacjach przemysłowych, zapewnia wysoką efektywność i niezawodność w układach zasilających. Wśród części elektronicznych, 30F122 wyróżnia się odpornością termiczną oraz minimalizacją strat mocy.
ID produktu: 12782
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 30F124 PLASTIC, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła VDS wynoszącym 300V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 200A. Dedykowany do zastosowań w przekształtnikach mocy, oferuje szybką komutację oraz niskie napięcie nasycenia. W skład części elektronicznych wchodzi również zintegrowana dioda Zenera dla ochrony bramki.
ID produktu: 12783
Stan magazynowy: w magazynie
Model 30G123, tranzystor w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką wydajnością prądową. Jego zastosowanie znajduje odniesienie w zaawansowanych układach sterowania mocą. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych, 30G123 oferuje stabilność termiczną, co jest kluczowe przy projektowaniu energooszczędnych systemów.
ID produktu: 12784
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 30G125 PLASTIC w obudowie TO-220F charakteryzuje się wysoką mocą oraz efektywnością przełączania. Urządzenie to, będące kluczowym składnikiem części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Parametry takie jak napięcie kolektora-emitera, prąd kolektora, oraz szybkość przełączania, czynią go odpowiednim dla aplikacji przemysłowych i konsumenckich.
ID produktu: 12785
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor H30R1202, w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem pracy do 1200V oraz prądem kolektora do 30A. Jego specyfikacja obejmuje szybkie przełączanie dzięki technologii IGBT, minimalizując straty mocy w aplikacjach przemysłowych. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w układach zasilających, przekształtnikach częstotliwości oraz sterownikach silników.
ID produktu: 12804
Stan magazynowy: w magazynie
Model H30R1602, w obudowie TO-247, to wysokonapięciowy tranzystor IGBT charakteryzujący się niskimi stratami przełączania oraz optymalizowaną szybkością przełączania. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w przekształtnikach mocy, oferuje VCE(sat) na poziomie znamionowym, co przekłada się na zwiększoną wydajność energetyczną. W kontekście części elektronicznych, tranzystor 30R1602 znajduje zastosowanie w zaawansowanych systemach zarządzania energią, gdzie niezawodność i efektywność są kluczowe.
ID produktu: 12786
Stan magazynowy: w magazynie
Model GT50J322, zintegrowany w obudowie TO-247, jest tranzystorem mocy IGBT, zaprojektowanym do zastosowań w układach przekształtnikowych. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCE wynoszącym 600V oraz prądem kolektora IC o wartości maksymalnej 50A. Dzięki niskiemu napięciu nasycenia i szybkiej komutacji, znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych do sterowania mocą.