Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12787
Stan magazynowy: w magazynie
Model 5N70, w obudowie TO-220, to tranzystor typu MOSFET o napięciu przebicia VDS wynoszącym 700V oraz prądzie drenażowym ID równym 5A. Charakteryzuje się niskim współczynnikiem RDS(on), co minimalizuje straty mocy. Wykorzystywany w aplikacjach przemysłowych, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach częstotliwości oraz innych częściach elektronicznych, wymaga precyzyjnego sterowania.
ID produktu: 12788
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 80N10, z obudową TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 100V oraz prądem drenu 80A. Urządzenie zaprojektowano z myślą o aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania. Wskaźnik RDS(on) nie przekracza 0.0085?, co minimalizuje straty mocy. W kontekście części elektronicznych, FQFP80N10 znajduje zastosowanie głównie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami.
ID produktu: 12789
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD241C, w obudowie TO-220, to element półprzewodnikowy NPN o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 100V, prądzie kolektora do 3A oraz moc wyjściowa 30W. Charakteryzuje się niskim nasyceniem napięcia CE, co jest istotne dla aplikacji przełączających. Dedykowany do szerokiego zakresu zastosowań w elektronice mocy, w tym w układach wzmacniaczy audio, sterowania silnikami oraz innych urządzeniach. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na stronie.
ID produktu: 12790
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD285, wykonany w obudowie METAL (TO-126), charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (Vce) wynoszącym maksymalnie 60V oraz prądem kolektora (Ic) do 1.5A. Jego zastosowanie znajduje się głównie w układach wzmacniacza mocy i przełączania. Warto zaznaczyć, że dla efektywnego wykorzystania w projektach części elektronicznych, BD285 wymaga dokładnego zapoznania się z parametrami termicznymi i elektrycznymi.
ID produktu: 12791
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD335, zaprojektowany w obudowie TO-126, jest półprzewodnikowym elementem dyskretnym, który znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji elektronicznych. Jego główną funkcją jest wzmacnianie sygnału lub pełnienie roli przełącznika. Charakteryzuje się zdolnością do obsługi umiarkowanych wartości prądu oraz napięcia, co predysponuje go do użycia w układach sterowania mocą. Dostępność tego komponentu na rynku części elektronicznych umożliwia projektantom szybką implementację w prototypach oraz urządzeniach końcowych.
ID produktu: 12793
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUK215-50Y SMD, kapsułowany w obudowie TO-263-5, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła (Vds) wynoszącym 50V oraz prądem drenu (Id) na poziomie 75A. Urządzenie to, dedykowane do montażu powierzchniowego (SMD), znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, oferując niską rezystancję w stanie przewodzenia oraz szybką prędkość przełączania.
ID produktu: 12794
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUK9628-100A, realizowany w obudowie D2PAK, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła VDS wynoszącym 100V oraz prądem drenu ID na poziomie 75A. Jako komponent z rodziny części elektronicznych, ten element półprzewodnikowy, wykorzystywany głównie w aplikacjach przełączających, oferuje niskie RDS(on) przy VGS = 10V, co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną układu.
ID produktu: 12795
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUL128DB METAL, w obudowie TO-220, to komponent półprzewodnikowy przeznaczony do zastosowań w układach przełączających o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 400V oraz prądem kolektora IC o wartości 8A. Jego zastosowanie znajduje się w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości.
ID produktu: 12796
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ74, wykonany w obudowie METAL TO-220, charakteryzuje się strukturą typu N-MOSFET. Przeznaczony do zastosowań w układach przełączających, oferuje maksymalne napięcie dren-źródło VDS wynoszące 50V oraz prąd drenu ID do 10A. Integralną częścią specyfikacji jest również niska rezystancja kanału w stanie przewodzenia RDS(on). Dla projektantów części elektronicznych stanowi on wybór umożliwiający efektywną kontrolę mocy w szerokim zakresie aplikacji.
ID produktu: 12797
Stan magazynowy: w magazynie
Model DG301 w obudowie PLASTIC (TO-220F) to komponent z kategorii części elektronicznych, charakteryzujący się zdolnością do przełączania i wzmacniania sygnału elektrycznego. Jego parametry pozwalają na zastosowanie w szerokim zakresie temperatur, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wymagających stabilności termicznej. Tranzystor ten znajduje zastosowanie głównie w układach zasilania, przekształtnikach oraz jako element sterujący w różnorodnych obwodach elektronicznych.