Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12801
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FZT968 w obudowie SOT-223 to komponent bipolarny PNP, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających o wysokiej prędkości. Charakteryzuje się napięciem kolektor-emiter VCEO wynoszącym -12V oraz maksymalnym prądem kolektora IC na poziomie -3A. Dzięki niewielkim rozmiarom obudowy SOT-223, część elektroniczna ta znajduje szerokie zastosowanie w przestrzeni ograniczonej, wymagającej komponentów o wysokiej gęstości mocy.
ID produktu: 12802
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor GT60M303, w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 900V oraz prądem kolektora IC na poziomie 60A. Urządzenie to, dedykowane dla aplikacji o wysokiej mocy, wykazuje także niskie nasycenie napięcia VCE(sat). Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, inwerterach oraz systemach sterowania silnikami.
ID produktu: 12805
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 30N60A4D, w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem drenu wynoszącym maksymalnie 30A. Zastosowanie technologii IGBT pozwala na efektywne przełączanie przy wysokich częstotliwościach. Idealny do zastosowań w przekształtnikach częstotliwości, UPS-ach oraz w sterowaniu silnikami. Wysoka wydajność i trwałość to kluczowe parametry, które wyróżniają ten element wśród innych części elektronicznych.
ID produktu: 12806
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor G30N60B3D, w obudowie TO-247, to półprzewodnikowy element wykonawczy o wysokiej mocy, przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach częstotliwości oraz innych urządzeniach elektronicznych wymagających efektywnej komutacji. Charakteryzuje się napięciem przebicia VCE do 600V oraz prądem kolektora IC do 30A. Dzięki zastosowaniu technologii field-stop IGBT, zapewnia niskie VCE(on), co przekłada się na redukcję strat mocy. W ofercie dostępne są również inne części elektroniczne.
ID produktu: 12808
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 6R190C6, wykonany w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem ciągłym Id do 19.7A. Dzięki zastosowaniu technologii CoolMOS™, urządzenie oferuje zredukowaną stratę mocy i zwiększoną efektywność energetyczną. W kontekście części elektronicznych, 6R190C6 znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, inwerterach oraz aplikacjach przemysłowych wymagających wysokiej niezawodności i długowieczności.
ID produktu: 12809
Stan magazynowy: w magazynie
Model IRF7380, wykonany w technologii SMD, z obudową SOP-8, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką efektywnością przełączania. Zapewnia doskonałą wydajność w aplikacjach o wysokim współczynniku mocy. Integralną częścią tego tranzystora jest jego zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur, co sprawia, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych. Jego parametry elektryczne pozwalają na efektywne sterowanie mocą w układach elektronicznych.
ID produktu: 12810
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFI510G, wykonany w technologii MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDSS wynoszącym 100V oraz prądem drenu ID równym 5.6A. Obudowa TO-220F zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilających i przetwornicach.
ID produktu: 12812
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFZ34N, w obudowie METAL (TO-220), to element półprzewodnikowy typu MOSFET N-Channel, zdolny do pracy w zakresie napięć do 55V oraz prądów do 29A. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia (Rds(on)), co minimalizuje straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy, przez układy sterowania, aż po aplikacje motoryzacyjne.
ID produktu: 12813
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRG4BC30S, w obudowie TO-220, to półprzewodnikowy element wykonany w technologii METAL. Przeznaczony do zastosowań w układach przetwarzania mocy, charakteryzuje się wysoką efektywnością i szybkością przełączania. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, wykorzystywany jest głównie w przekształtnikach i inwerterach.
ID produktu: 12814
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRG4BC30UD, w obudowie TO-220, to półprzewodnikowy element przełączający typu MOSFET, zaprojektowany do zastosowań w układach o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem przewodzenia Vds do 600V oraz prądem Id do 28A. Dzięki zastosowaniu technologii trench, urządzenie oferuje zmniejszoną rezystancję kanału przy włączeniu, co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną. Wysoka odporność na impulsy napięciowe oraz zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur sprawiają, że jest idealny do zaawansowanych aplikacji mocy. Dla tych, którzy poszukują specjalistycznych części elektronicznych, IRG4BC30UD stanowi niezawodny wybór.