Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 8662
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor IRF9630, wykonany w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się typem kanału P, z maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym -200V oraz prądem drenu -6.5A. Posiada niską rezystancję w stanie przewodzenia, co jest istotne dla aplikacji wymagających efektywności energetycznej. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w układach zasilania, przetwornicach czy jako element sterujący w układach oświetleniowych LED.
ID produktu: 9598
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF9640 w obudowie TO-220 to element półprzewodnikowy typu P-MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS do -200V oraz prądem drenu ID do -11A. Posiada niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co zapewnia efektywną pracę w układach przełączających. W kontekście części elektronicznych, IRF9640 znajduje zastosowanie w przetwornicach mocy, sterowaniu silnikami oraz aplikacjach do zarządzania energią.
ID produktu: 8663
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFBC30, zaprojektowany w obudowie TO-220, jest elementem półprzewodnikowym MOSFET typu N, charakteryzującym się napięciem dren-źródło Vds=600V oraz prądem drenu Id=3.6A. Wyróżnia się niską rezystancją w stanie przewodzenia Rds(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach zasilających. Element ten znajduje zastosowanie w szerokim spektrum układów elektronicznych, w tym w przetwornicach i zasilaczach impulsowych. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć na stronie dostawcy.
ID produktu: 8664
Stan magazynowy: w magazynie
IRFBC40, tranzystor typu MOSFET z obudową TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 600V, prądem drenu ID do 6.2A oraz rezystancją kanału RDS(on) maksymalnie 0.54?. Urządzenie jest dedykowane dla aplikacji o wysokim napięciu, oferując efektywną pracę w układach zasilania. Dostępne są w częściach elektronicznych Impelshop.
ID produktu: 8665
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFD9120, będący elementem z rodziny MOSFET P-Channel, charakteryzuje się napięciem przebicia VDSS wynoszącym -100V oraz prądem drenu ID sięgającym -1.7A. Zintegrowany w obudowie typu DIP, zapewnia optymalizację przepływu energii. Dedykowany dla aplikacji o wysokich wymaganiach stabilności termicznej i efektywności energetycznej, znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych.
ID produktu: 8897
Stan magazynowy: w magazynie
Model IRFIBE30SG, będący elementem z kategorii części elektronicznych, to tranzystor typu MOSFET SMD, zaprojektowany do zastosowań w układach o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem przebicia Vds wynoszącym 600V oraz prądem drenu Id do 4.1A. Tranzystor ten cechuje się niską rezystancją kanału Rds(on), co przekłada się na jego efektywność w obwodach przełączających.
ID produktu: 10740
Stan magazynowy: w magazynie
Model IRFL4105, realizowany w obudowie SOT-223, jest tranzystorem polowym typu MOSFET o kanale N. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co umożliwia efektywną pracę w obwodach o niskim napięciu zasilania. Dzięki technologii SMD, komponent ten znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, gdzie wymagana jest miniaturyzacja przy jednoczesnym zachowaniu wysokiej wydajności prądowej i termicznej.
ID produktu: 9009
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFP044N, w obudowie TO-247, jest przeznaczony do zastosowań w układach wysokiej mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką zdolnością do przewodzenia prądu. Urządzenie to znajduje szerokie zastosowanie w konstrukcjach wymagających efektywnego sterowania dużymi obciążeniami. Idealnie sprawdza się w systemach zasilania, inwerterach oraz aplikacjach motoryzacyjnych. Dla osób poszukujących części elektronicznych, IRFP044N oferuje solidne parametry w zakresie prądowym i napięciowym.
ID produktu: 8667
Stan magazynowy: w magazynie
IRFP054N, w obudowie TO-247, jest tranzystorem MOSFET typu N, charakteryzującym się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 55V oraz maksymalnym prądem drenu 70A. Zaprojektowany do zastosowań w wysokoprądowych układach przełączających, oferuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w systemach zarządzania energią, konwerterach DC/DC oraz w układach sterowania silnikami.
ID produktu: 8668
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFP064N, zaprojektowany w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 55V oraz prądem drenu ID na poziomie 110A. Urządzenie to, będące elementem kluczowym w częściach elektronicznych, wykorzystuje technologię MOSFET, co pozwala na efektywną pracę w szerokim zakresie aplikacji mocy. Rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) nie przekracza 0.008?, co minimalizuje straty mocy.