Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 8677
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor IRFPE50, zamknięty w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 800V oraz prądem drenu ID wynoszącym 7.6A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o wysokiej wydajności w aplikacjach przemysłowych, oferuje niskie RDS(on) oraz zintegrowaną diodę Zenera dla ochrony bramki. Znajdź więcej informacji o częściach elektronicznych w naszym katalogu.
ID produktu: 9972
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFPF50, typ MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDSS wynoszącym 900V, prądem drenu ID równym 6.8A oraz maksymalną mocą strat Pd wynoszącą 190W. Jego oporność w stanie przewodzenia RDS(on) osiąga wartość do 0.85?. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych i przekształtnikach częstotliwości.
ID produktu: 8900
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor typu P-Channel MOSFET, o symbolu IRFR9020, w obudowie SMD, charakteryzuje się napięciem przewodzenia Vds wynoszącym -200V oraz prądem drenu Id do -5.8A. Dedykowany do zastosowań w przetwornicach napięcia, systemach zarządzania energią oraz innych częściach elektronicznych wymagających komponentów o wysokiej wydajności i niezawodności.
ID produktu: 9341
Stan magazynowy: w magazynie
IRFU9024 SMD to tranzystor P-MOSFET, zaprojektowany do pracy w zaawansowanych układach elektronicznych. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co ułatwia sterowanie w aplikacjach o niskim napięciu. Dzięki obudowie SMD, komponent jest przystosowany do montażu powierzchniowego, co jest istotne w nowoczesnych częściach elektronicznych. Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi -55V, a prąd drenu -11A, co świadczy o jego dużej wydajności.
ID produktu: 8678
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFZ44N, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=55V, maksymalnym prądem drenu Id=49A oraz rezystancją w stanie przewodzenia Rds(on)=17.5m?. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz układach sterowania silnikami.
ID produktu: 9100
Stan magazynowy: w magazynie
IRFZ46N, tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS = 55V oraz prądem drenu ID = 53A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w przetwornicach mocy i układach sterowania, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na jego efektywność. Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
ID produktu: 9101
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFZ48N, w obudowie METAL TO-220, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS do 55V oraz prądem drenu ID do 64A. Urządzenie typu N-MOSFET, przeznaczone do zastosowań w przetwornicach mocy, wykazuje niską rezystancję kanału RDS(on). Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
ID produktu: 10372
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor IRL3103, należący do kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS o wartości 30V, prądem drenu ID wynoszącym 64A oraz niską rezystancją kanału RDS(on). Urządzenie to, wykonane w technologii MOSFET, zapewnia efektywną pracę w układach przełączających.
ID produktu: 10464
Stan magazynowy: w magazynie
Model IXGQ90N33, tranzystor w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się napięciem drenu-source VDS wynoszącym maksymalnie 330V oraz prądem drenu ID na poziomie 90A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest zaprojektowane z myślą o aplikacjach wymagających wysokiej mocy i szybkości przełączania, takich jak przetwornice częstotliwości czy zasilacze impulsowe.
ID produktu: 9342
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor J201, w obudowie TO-92, jest unipolarnym tranzystorem polowym typu N, charakteryzującym się niskim napięciem progowym. Przeznaczony głównie do zastosowań w układach wzmacniaczy niskoszumowych i generatorów. Jego parametry pozwalają na efektywną pracę w zakresie niskich częstotliwości. Wśród części elektronicznych wyróżnia się stabilnością termiczną i doskonałą liniowością.