Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 10121
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFP240, zamknięty w obudowie TO-247, jest elementem półprzewodnikowym typu MOSFET N-Channel. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 200V oraz prądem drenu ID na poziomie 20A. Jego rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) nie przekracza 0.18?. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych oraz aplikacjach przemysłowych.
ID produktu: 8669
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFP250N, wykonany w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 200V oraz prądem drenu ID na poziomie 30A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających, wykazuje niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność energetyczną. W kontekście części elektronicznych, IRFP250N jest często wykorzystywany w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających niezawodnej pracy w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 10473
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFP260N, charakteryzujący się obudową TO-247, to element półprzewodnikowy typu MOSFET N-kanałowy, przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających. Zdolny do pracy przy napięciu dren-źródło VDS do 200V oraz prądzie drenu ID do 50A, wykazuje się również niską rezystancją kanału RDS(on). Dla projektantów części elektronicznych stanowi kluczowy komponent w systemach zasilania, inwerterach oraz sterownikach silników.
ID produktu: 10271
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFP264, zamknięty w obudowie TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 250V oraz maksymalnym prądem ciągłym drenu ID równym 38A. Jego oporność w stanie przewodzenia RDS(on) nie przekracza 0.077?, co świadczy o wysokiej efektywności przewodzenia. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie wymagana jest niezawodność i wydajność na wysokim poziomie. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć na stronie dostawcy.
ID produktu: 10615
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFP2907, w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 75V oraz prądem drenu ID do 209A. Posiada niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach o wysokiej mocy. Specyfikacja techniczna uwzględnia również maksymalną moc strat PD oraz zakres temperatur pracy. Dostępny w częściach elektronicznych ImpelShop.
ID produktu: 10741
Stan magazynowy: w magazynie
IRFP4332, w obudowie TO-247, to tranzystor mocy MOSFET, charakteryzujący się napięciem pracy do 250V oraz prądem drenu Id(max) wynoszącym 195A. Posiada niską rezystancję kanału Rds(on) wynoszącą zaledwie 4.7 m?, co przekłada się na wysoką efektywność w aplikacjach przemysłowych. Idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy, takich jak przekształtniki czy zasilacze impulsowe. Dostępny jest w szerokiej ofercie części elektronicznych na rynku.
ID produktu: 10122
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFP450A, w obudowie TO-247, to półprzewodnikowy element przełączający, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS do 500V oraz prądem drenu ID do 14A. Dedykowany do aplikacji w wysokonapięciowych układach zasilających, zapewnia wysoką efektywność i szybką odpowiedź przełączania. Dostępny w ofercie części elektronicznych dla zaawansowanych projektów elektronicznych.
ID produktu: 8673
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 8674
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFP9140N, z obudową TO-247, jest elementem półprzewodnikowym typu P-MOSFET, charakteryzującym się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym -100V oraz maksymalnym prądem drenu -27A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, od zasilaczy po inwertery częstotliwości.
ID produktu: 8675
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFP9240, wykorzystujący obudowę TO-247, jest elementem półprzewodnikowym typu P-MOSFET. Charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 200V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 12A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w aplikacjach o wysokim napięciu i prądzie, oferując niskie RDS(on) dla zwiększenia efektywności. Dla osób poszukujących specjalistycznych części elektronicznych, IRFP9240 stanowi kluczowy komponent w projektowaniu zaawansowanych układów mocy.