Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 10899
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MJ11017, zamknięty w obudowie TO-3, charakteryzuje się zdolnością do pracy w układach o wysokiej mocy. Jego parametry pozwalają na efektywne przełączanie i wzmacnianie sygnałów w szerokim zakresie temperatur. Dla osób poszukujących specyficznych części elektronicznych, MJ11017 oferuje stabilność pracy przy jednoczesnym zachowaniu niskiego nasycenia napięciowego.
ID produktu: 10900
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MJ11018, zaprojektowany w obudowie TO-3, charakteryzuje się zdolnością do pracy w wysokich temperaturach. Jego parametry pozwalają na efektywne przełączanie w aplikacjach mocy. Współczynnik wzmocnienia prądowego (hFE) oraz maksymalne napięcie kolektora-emitera (Vce) są kluczowe dla projektantów części elektronicznych. Specyfikacja obejmuje również maksymalny prąd kolektora (Ic), co jest istotne przy projektowaniu obwodów elektronicznych wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie obciążeń.
ID produktu: 10901
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MJE13001 w obudowie TO-92 to element półprzewodnikowy NPN o przeznaczeniu ogólnym, charakteryzujący się napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym 400V oraz prądem kolektora do 0.2A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach przełączających i wzmacniaczach. Parametry te pozwalają na efektywne wykorzystanie w konstrukcjach wymagających stabilności i niezawodności przy wyższych napięciach.
ID produktu: 10902
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor bipolarny MJE15030G, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 150V oraz prądem kolektora IC o wartości 8A. Jego maksymalna moc rozpraszana PD osiąga 50W. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniacza mocy i przetwornicach.
ID produktu: 10903
Stan magazynowy: w magazynie
Model P4404EDG, realizowany w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem pracy do 40V oraz prądem ciągłym Drain maksymalnie do 9.2A. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w układach przełączających oraz w aplikacjach sterowania silnikami. Kompaktowa obudowa TO-252 zapewnia efektywną dystrybucję ciepła, co jest krytyczne w zastosowaniach o wysokiej gęstości mocy.
ID produktu: 10904
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor RJP4585, wykonany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się wysoką wydajnością przy pracy w układach przełączających. Jego napięcie pracy oraz prąd maksymalny pozwalają na zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych. Specyfikacja techniczna obejmuje niskie VCE(sat), co przekłada się na efektywność energetyczną układów. Odporność na wysokie temperatury i długi czas życia to wynik zastosowania nowoczesnych materiałów półprzewodnikowych.
ID produktu: 10905
Stan magazynowy: w magazynie
Para tranzystorów SAP09NY / SAP09PY, dedykowana do aplikacji audio o wysokiej mocy, charakteryzuje się komplementarną strukturą NPN/PNP. Elementy te oferują znaczące parametry takie jak niska rezystancja nasycenia oraz wysoka szybkość przełączania. Znajdują zastosowanie w zaawansowanych układach wzmacniaczy mocy, gdzie stabilność termiczna i efektywność energetyczna są kluczowe. Więcej informacji na temat części elektronicznych można znaleźć na stronie.
ID produktu: 10826
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STP16NE06 METAL, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS maksymalnym wynoszącym 60V oraz prądem drenu ID równym 16A. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co przyczynia się do efektywnego zarządzania mocą. Tranzystor typu N-MOSFET jest przeznaczony do szerokiego zakresu aplikacji, w tym przetwarzania energii i komutacji.
ID produktu: 9461
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STP4NA40FI PLASTIC, MOSFET typu N, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło Vds wynoszącym 400V oraz prądem drenu Id do 4.5A. Urządzenie zaprojektowano w obudowie TO-220FP, co umożliwia efektywne odprowadzanie ciepła. Zastosowanie tego komponentu znajduje się głównie w przetwornicach mocy oraz układach sterowania. Dostępność części elektronicznych takich jak STP4NA40FI PLASTIC pozwala na realizację zaawansowanych projektów elektronicznych.
ID produktu: 9867
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STP8NA60FI, w obudowie TO-220F, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, zaprojektowany do pracy w układach o wysokim napięciu. Charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID o wartości do 8A. Wysoka odporność termiczna oraz minimalizacja strat mocy czynią go odpowiednim do zastosowań w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych i innych [częściach elektronicznych](https://www.impelshop.com/).