Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 9531
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SJ79 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się polarnością P-channel MOSFET. Urządzenie to, zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania, dysponuje napięciem przebicia Vds wynoszącym 160V oraz prądem drenu Id do 10A. Wysoka odporność termiczna i efektywność przełączania czynią go odpowiednim dla zaawansowanych części elektronicznych. Parametry takie jak Rds(on) minimalizują straty mocy, co jest krytyczne w aplikacjach o wysokiej wydajności.
ID produktu: 8517
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1011, N-Channel MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 500V, prądem drenu ID do 6A oraz mocą strat PD do 50W. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji przemysłowych. Wysoka impedancja wejściowa oraz szybki czas przełączania czynią go odpowiednim do układów przełączających. Dostępny w obudowie TO-220AB. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na naszej stronie.
ID produktu: 8519
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1117, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się n-kanałową strukturą MOSFET, umożliwiającą efektywne przełączanie przy niskich napięciach bramki. Zapewnia wysoką szybkość przełączania oraz niską rezystancję w stanie przewodzenia, co jest kluczowe dla aplikacji o wysokiej efektywności energetycznej. Jego maksymalne napięcie drenu-bramka wynosi 500V, co pozwala na zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych. Szczegółowe parametry i zastosowanie tego tranzystora znajdują się wśród części elektronicznych dostępnych na rynku.
ID produktu: 9721
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1118, w obudowie PLASTIC (TO-220F), jest elementem półprzewodnikowym typu N-MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających oraz wzmacniaczy mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką odpornością na impulsy prądowe. Dedykowany do szerokiego spektrum części elektronicznych, zapewnia stabilność pracy w rozległym zakresie temperatur.
ID produktu: 8520
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK1120, charakteryzujący się obudową TO-3PN, jest tranzystorem mocy typu N-MOSFET. Przeznaczony do zastosowań w układach o wysokim napięciu, oferuje niską rezystancję kanału przy jednoczesnym zapewnieniu wysokiej efektywności przełączania. W kontekście części elektronicznych, jego specyfikacja techniczna uwzględnia maksymalne napięcie dren-źródło VDS, prąd drenu ID oraz moc PD, co czyni go odpowiednim do zastosowań w zaawansowanych systemach zasilania.
ID produktu: 10729
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 8521
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 8522
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1356, wykonany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się n-kanałową strukturą MOSFET. Urządzenie to jest przeznaczone do aplikacji o wysokim napięciu, oferując maksymalne napięcie dren-źródło VDS wynoszące 500V oraz maksymalny prąd drenu ID równy 5A. Wysoka zdolność do obsługi prądu pulsacyjnego oraz niska rezystancja kanału w stanie przewodzenia RDS(on) zapewniają efektywną pracę w układach zasilania i przekształtnikach. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych 2SK1356 stanowi kluczowy komponent w projektowaniu energooszczędnych systemów.
ID produktu: 8844
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1358, z obudową TO-3PN, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką prędkością przełączania. Wykonany w technologii MOSFET, posiada zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur. Jego zastosowanie znajduje głównie w układach zasilania, przekształtnikach i regulatorach mocy. Dostępność części elektronicznych takich jak ten tranzystor, umożliwia konstruktorom realizację zaawansowanych projektów elektronicznych.
ID produktu: 8523
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1420, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem drenu-źródła V(DSS) wynoszącym 600V oraz prądem drenu I(D) o wartości 5A. Specyfikacja obejmuje minimalną rezystancję kanału R(DS)(on) przy Vgs=10V, co wskazuje na jego efektywność w aplikacjach wysokonapięciowych. Zapewnia on stabilność termiczną oraz wysoką niezawodność w częściach elektronicznych wymagających precyzyjnej kontroli mocy.