Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 8748
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2723, należący do kategorii części elektronicznych, jest tranzystorem MOSFET typu N o maksymalnym napięciu dren-źródło VDSS wynoszącym 900V oraz prądzie drenu ID równym 3A. Charakteryzuje się niską rezystancją kanału przy VGS = 10V, co przekłada się na jego efektywność w aplikacjach przełączających.
ID produktu: 8544
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK2750, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), jest tranzystorem polowym MOSFET typu N, przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczy mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym i wysoką odpornością na impulsy prądowe. Dedykowany dla szerokiego spektrum części elektronicznych, zapewnia stabilną pracę w warunkach wysokiej częstotliwości i temperatury.
ID produktu: 8545
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2761, wykonany w obudowie PLASTIC TO-220F, jest elementem półprzewodnikowym typu N-channel MOSFET. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło V(DSS) wynoszącym 600V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 5A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych oraz przekształtnikach częstotliwości. Dostępne części elektroniczne obejmują szeroką gamę komponentów do różnorodnych zastosowań.
ID produktu: 9943
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2837, w obudowie TO-3PN, to element półprzewodnikowy N-Channel MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach o dużej mocy. Charakteryzuje się napięciem drenu-source V(DSS) wynoszącym 500V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 20A. Urządzenie to znajduje szerokie zastosowanie w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnego przełączania i regulacji dużych prądów.
ID produktu: 8809
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2842, w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-source V(DSS) do 500V oraz prądem drenu I(D) wynoszącym maksymalnie 5A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych. Dzięki swojej konstrukcji, zapewnia wysoką niezawodność oraz efektywność w obwodach, gdzie kluczowe jest zarządzanie mocą. Dla osób poszukujących specyficznych części elektronicznych, 2SK2842 stanowi solidny wybór komponentu.
ID produktu: 9000
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2917, wykonany w obudowie METAL (TO-247), charakteryzuje się wysoką mocą i sprawnością. Jego parametry pozwalają na zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych wymagających stabilnej pracy przy wysokich napięciach. Dedykowany dla aplikacji wymagających niezawodności i długotrwałej wydajności, jest kluczowym komponentem w częściach elektronicznych o wysokim zapotrzebowaniu na energię.
ID produktu: 8547
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK2937, zrealizowany w obudowie PLASTIC TO-220F, jest tranzystorem polowym N-MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 500V oraz prądem drenu ID do 12A. Znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych aplikacjach wymagających elementów o wysokiej wydajności. Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
ID produktu: 9090
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK3067, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), jest tranzystorem polowym typu N, charakteryzującym się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 60V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 5A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji elektronicznych, w tym w układach przełączających i wzmacniaczach. Dla profesjonalistów poszukujących specyficznych części elektronicznych, 2SK3067 oferuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur pracy.
ID produktu: 8548
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK3114, realizowany w obudowie PLASTIC TO-220F, jest tranzystorem typu MOSFET o kanale N. Charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS do 500V oraz prądem drenu ID do 5A. Próg napięcia bramki VGS(th) oscyluje w zakresie 2-4V, co pozwala na efektywne sterowanie w aplikacjach o wysokim napięciu. Dedykowany dla szerokiego spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości.
ID produktu: 10362
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3561, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 500V oraz prądem drenu ID do 4A. Jako komponent z rodziny części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz w układach sterowania silnikami. Parametry RDS(on) maksymalne wynoszą 1.5?, co wskazuje na jego efektywność w minimalizacji strat mocy.