ID produktu: 8549
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3562, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem dren-źródło V(DSS) wynoszącym 500V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 5A. Jest to element półprzewodnikowy typu N-MOSFET, zaprojektowany do zastosowań w przetwornicach, zasilaczach oraz innych urządzeniach elektronicznych wymagających efektywnego przełączania. Wysoka impedancja wejściowa oraz szybkość przełączania pozwalają na efektywne sterowanie w układach elektronicznych. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie.
ID produktu: 8843
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3564, realizowany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 600V oraz prądem drenu ID wynoszącym do 12A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niskie straty mocy dzięki zastosowaniu technologii MOSFET, co sprawia, że znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz innych układach wymagających efektywnej kontroli dużych prądów przy umiarkowanych napięciach.
ID produktu: 9001
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3567, w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS=600V, prądem drenu ID=12A oraz mocą strat PD=45W. Doskonale sprawdza się w aplikacjach przełączających, oferując szybkie czasy włączania i wyłączania. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych jest to komponent o szerokim zakresie zastosowań, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości.
ID produktu: 10105
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3568, wykonany w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła V(DSS) wynoszącym 500V, prądem drenu I(D) do 12A oraz niską rezystancją kanału przy V(GS)=10V. Jest to element przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych i innych urządzeniach elektronicznych. Dla tych, którzy poszukują specyficznych części elektronicznych, 2SK3568 oferuje stabilność pracy przy wysokich obciążeniach.
ID produktu: 9860
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK3569, tranzystor mocy typu MOSFET, charakteryzuje się konstrukcją w obudowie TO-220F, zapewniającą optymalne rozpraszanie ciepła. Przeznaczony do zastosowań w układach przełączających, oferuje niski opór w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. Wysoka odporność na impulsy prądowe oraz zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur, czynią go odpowiednim dla zaawansowanych części elektronicznych. Parametry graniczne urządzenia obejmują napięcie drenu-źródła VDS do 900V oraz prąd drenu ID do 2A.
ID produktu: 10107
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor 2SK3662, osadzony w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła (Vds) wynoszącym 500V, prądem drenu (Id) na poziomie 5A. Urządzenie to, będące częścią kluczową w projektowaniu części elektronicznych, wykazuje niskie Rds(on) przy Vgs=10V, co minimalizuje straty mocy. Specyfikacja obejmuje także maksymalną moc strat Pd wynoszącą 50W, co czyni go odpowiednim do zastosowań wymagających wysokiej wydajności termicznej.
ID produktu: 8810
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3699, z obudową TO-220F, jest elementem półprzewodnikowym N-Channel MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach o wysokiej częstotliwości i mocy. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysokim napięciem przebicia. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz jako element sterujący w układach inwerterowych.
ID produktu: 10363
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3742, w obudowie TO-220F, jest elementem półprzewodnikowym, charakteryzującym się wysoką mocą oraz zdolnością do przewodzenia prądu w określonym kierunku. Skonstruowany z myślą o aplikacjach wymagających efektywnego przełączania i regulacji napięć. Jego parametry pozwalają na zastosowanie w szerokim zakresie urządzeń elektronicznych, od zasilaczy po układy komutacyjne. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie dostawcy.
ID produktu: 10108
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK3799, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, zapewniając efektywną pracę w obwodach o wysokiej częstotliwości. Przeznaczony do zastosowań w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych urządzeniach elektronicznych, gdzie niezbędna jest wysoka niezawodność. Obudowa TO-220F gwarantuje dobrą odporność termiczną. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie.
ID produktu: 9180
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK513 METAL (TO-220) to element półprzewodnikowy N-Channel MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczy mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym i wysoką prędkością przełączania. Obudowa TO-220 zapewnia efektywny rozpraszanie ciepła. Idealnie nadaje się do zastosowań w częściach elektronicznych wymagających niezawodności i wydajności.