Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 9859
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor 2SK2610, w obudowie typu TO-3PN, charakteryzuje się wysoką mocą oraz napięciem pracy. Zaprojektowany do zastosowań w układach przetwarzania mocy, oferuje doskonałą szybkość przełączania i niskie straty przewodzenia. Dedykowany dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych, takich jak zasilacze impulsowe, inwertery czy systemy zarządzania mocą.
ID produktu: 8535
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK2611, tranzystor mocy typu N-MOSFET, charakteryzuje się obudową TO3-PN, zapewniającą efektywny rozpraszanie ciepła. Urządzenie oferuje maksymalne napięcie drenu-źródła VDS wynoszące 900V oraz prąd drenu ID do 9A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz w układach sterowania silnikami.
ID produktu: 10459
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2625, w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła V(DSS) wynoszącym 900V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 4A. Urządzenie to, dedykowane dla aplikacji o wysokich wymaganiach energetycznych, zapewnia efektywną komutację przy minimalnych stratach mocy. W kontekście części elektronicznych, tranzystor 2SK2625 znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych urządzeniach elektronicznych wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 8536
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2632, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem drenu-źródła V(DSS) wynoszącym 500V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 5A. Jest to element półprzewodnikowy typu N-MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczach mocy. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, wymagających stabilności termicznej i wysokiej wydajności.
ID produktu: 8537
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2645, w obudowie TO-220F, jest elementem półprzewodnikowym MOSFET typu N, przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło V(DSS) wynoszącym 600V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 6A. Wysoka odporność na impulsy oraz niska rezystancja kanału w stanie przewodzenia, czyni go odpowiednim do efektywnego sterowania większymi częściami elektronicznymi. Jego zastosowanie znajduje szerokie zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych urządzeniach wymagających stabilnej pracy w trudnych warunkach.
ID produktu: 8538
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2647, MOSFET typu N, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS = 600V oraz prądem drenu ID = 9A. Urządzenie to wykazuje niską rezystancję kanału przy VGS = 10V, co przekłada się na wydajność w aplikacjach przełączających. Wysoka tolerancja na prąd pulsacyjny oraz odporność na efekt avalanche czynią go odpowiednim do zastosowań w przetwornicach mocy i zasilaczach impulsowych. Dostępne w obudowie TO-220SIS, zapewnia doskonałe rozpraszanie ciepła. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na naszej stronie.
ID produktu: 8539
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2651, zamknięty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem drenu-source V(DSS) wynoszącym 900V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 9A. Zaliczany do grupy tranzystorów MOSFET N-Channel, jest często wykorzystywany w aplikacjach przełączających wysokiego napięcia. Jego parametry termiczne i elektryczne czynią go odpowiednim do zastosowań w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych urządzeniach elektronicznych wymagających efektywnego przełączania i regulacji wysokich napięć. Dostęp do szerokiej gamy części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi układami.
ID produktu: 8541
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2671, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=900V, prądem drenu Id=2A oraz mocą strat Pd=40W. Jako element z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz w układach sterowania wysokonapięciowego.
ID produktu: 8542
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2699, typu MOSFET, charakteryzuje się obudową METAL TO-3PN, zapewniającą doskonałą wydajność termiczną. Przeznaczony do aplikacji o wysokiej mocy, posiada maksymalne napięcie dren-źródło VDS wynoszące 500V oraz prąd drenu ID do 20A. Dzięki tym parametrom, znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, takich jak zasilacze impulsowe czy inwertery. Jego konstrukcja zapewnia również wysoką odporność na przeciążenia i krótkotrwałe przepięcia.
ID produktu: 8543
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2700, w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem dren-źródło V(DSS) wynoszącym 900V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 3A. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, operuje w zakresie temperatur od -55°C do +150°C. Jego główną aplikacją jest przetwarzanie sygnałów w wysokonapięciowych układach zasilających.