Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 9722
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2139, będący elementem z kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się strukturą MOSFET z kanałem N. Przeznaczony do zastosowań w układach przełączających, posiada maksymalne napięcie dren-źródło VDS wynoszące 500V oraz prąd drenu ID do 2A. Parametry te czynią go odpowiednim dla aplikacji wymagających wysokiej wydajności przy umiarkowanych obciążeniach.
ID produktu: 8529
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2141 to element półprzewodnikowy N-Channel MOSFET, zaprojektowany do zastosowań w układach wysokiej częstotliwości oraz w konfiguracjach zasilających o niskim napięciu. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym (Vgs(th)) i wysoką prędkością przełączania. Doskonale sprawdza się w aplikacjach wymagających efektywnej kontroli prądu. Dostępne części elektroniczne obejmują szeroki wybór tranzystorów do różnorodnych zastosowań.
ID produktu: 10458
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK215, wykonany w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką odpornością na impulsy prądowe. Jako element z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach, przekształtnikach oraz w układach sterowania silnikami. Parametry maksymalne określają granice pracy urządzenia, w tym maksymalny prąd i napięcie.
ID produktu: 8530
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK216, w obudowie METAL (TO-220), jest półprzewodnikowym elementem dyskretnym, charakteryzującym się niskim poziomem szumów i wysoką impedancją wejściową. Przeznaczony głównie do aplikacji w układach wzmacniaczy mocy i przetwornic. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych, 2SK216 oferuje stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. Jego parametry elektryczne umożliwiają efektywną komutację sygnałów w zastosowaniach audio i RF.
ID produktu: 8890
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2231, w obudowie SMD typu TO-252, jest elementem półprzewodnikowym N-kanałowym, MOSFET o wysokiej gęstości mocy. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co czyni go efektywnym w aplikacjach przełączających. Ze względu na swoje parametry, znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, sterownikach silników oraz przekształtnikach częstotliwości.
ID produktu: 9089
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2295 PLASTIC, typ MOSFET, charakteryzuje się napięciem drenu-source V(DSS) wynoszącym 900V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 3A. Urządzenie to, ze względu na konstrukcję w obudowie plastikowej, znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilających i przekształtnikach. Niskie R(DS)(on) minimalizuje straty mocy, co jest kluczowe dla efektywności energetycznej aplikacji.
ID produktu: 8531
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2485, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=500V, prądem drenu Id=5A oraz niską rezystancją kanału przy Vgs=10V. Znajduje zastosowanie w przetwornicach mocy, zasilaczach impulsowych oraz w innych aplikacjach wymagających efektywnego przełączania. Dostępność części elektronicznych umożliwia szerokie wykorzystanie w projektach inżynierskich.
ID produktu: 10731
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2543, w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS = 500V, prądem drenu ID = 5A oraz maksymalną mocą strat PD = 40W. Zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy, będąc odpowiednim wyborem dla aplikacji wymagających regulacji napięcia i przetwarzania mocy. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz układach sterowania.
ID produktu: 8533
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2545, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem drenu-źródła V(DSS) wynoszącym 600V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 5A. Urządzenie typu N-channel MOSFET zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy, co jest kluczowe dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych. Niska rezystancja w stanie przewodzenia R(DS)(on) oraz szybka prędkość przełączania to cechy, które wyróżniają ten model na tle konkurencyjnych rozwiązań.
ID produktu: 8534
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK2605, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się unipolarnym kanałem N, zamkniętym w obudowie PLASTIC TO-220F. Przeznaczony do aplikacji o wysokiej mocy, posiada maksymalne napięcie dren-źródło VDS wynoszące 60V oraz prąd drenu ID na poziomie 5A. Wysoka odporność na impulsy napięciowe oraz niska rezystancja kanału on-state, RDS(on), sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych.