Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 9971
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK669, typ N-channel MOSFET, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką odpornością na przepięcia. Przeznaczony do zastosowań w układach przełączających, oferuje doskonałą szybkość przełączania i niskie straty mocy. Idealny dla części elektronicznych wymagających niezawodności i efektywności energetycznej.
ID produktu: 8550
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK727, zaprojektowany w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia oraz wysoką mocą wyjściową. Jako element z rodziny części elektronicznych, ten N-Channel MOSFET jest wykorzystywany w aplikacjach wymagających efektywnej komutacji. Parametry takie jak niska rezystancja kanału i zdolność do pracy przy wysokich częstotliwościach czynią go odpowiednim do zasilaczy impulsowych, przetwornic DC/DC oraz innych zaawansowanych układów elektronicznych.
ID produktu: 8551
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK817, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się strukturą kanalową N, zapakowany w obudowę PLASTIC TO-220F. Przeznaczony głównie do zastosowań w układach zasilających, posiada zdolność do pracy przy napięciu drenu do 500V i prądzie drenu do 2A. Wśród części elektronicznych, wyróżnia się stabilnością termiczną i wysoką efektywnością przełączania.
ID produktu: 9861
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK975, zamknięty w obudowie TO-92, charakteryzuje się typem polowym N-MOSFET. Przeznaczony do zastosowań w układach przełączających, posiada maksymalne napięcie drenu-źródła VDS wynoszące 900V oraz prąd drenu ID do 0.1A. Wysoka impedancja wejściowa oraz szybka prędkość przełączania czynią go odpowiednim dla szerokiej gamy części elektronicznych.
ID produktu: 10379
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 3NK60ZFP PLASTIC, z obudową TO-220F, charakteryzuje się napięciem przebicia dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 3A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, operuje w zakresie temperatur od -55°C do 150°C, zapewniając MOSFET typu N o niskim Rdson i wysokiej efektywności przełączania. Specyfikacja obejmuje także czas wyłączenia typowego toff równy 100ns.
ID produktu: 9653
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor typu MOSFET o symbolu 4N60, znany również jako FQP4N60, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 600V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 4A. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w projektowaniu zaawansowanych części elektronicznych, zapewnia wysoką wydajność przy minimalnych stratach mocy, dzięki czemu znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji przemysłowych i konsumenckich.
ID produktu: 10111
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 9458
Stan magazynowy: w magazynie
Model 50N06, wykonany w obudowie TO-220, to tranzystor typu MOSFET N-kanałowy, charakteryzujący się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 60V oraz maksymalnym prądem drenu 50A. Urządzenie zaprojektowano z myślą o aplikacjach o wysokiej wydajności, gdzie stabilność termiczna i efektywność są krytyczne. Odpowiedni dla szerokiego zakresu części elektronicznych, w tym zasilaczy impulsowych, przetwornic DC/DC oraz systemów zarządzania mocą.
ID produktu: 10610
Stan magazynowy: w magazynie
Model 5N60C, zaprojektowany w obudowie TO-220F, jest tranzystorem MOSFET typu N, oferującym maksymalne napięcie dren-źródło wynoszące 600V oraz prąd drenu do 4.5A. Charakteryzuje się on niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką zdolnością do przewodzenia impulsowego. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz w sterowaniu silnikami.
ID produktu: 10733
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 6N80C (FQPF6N80C) typu MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 800V oraz prądem drenu ID na poziomie 6A, wykonany w obudowie TO-220F, zapewnia wysoką wydajność w aplikacjach wymagających przetwarzania mocy. Element ten, będący kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz innych układach elektronicznych o wysokiej częstotliwości.