Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 11461
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MRF455, produkowany przez MOTOROLA, to bipolarny tranzystor mocy RF, zaprojektowany do zastosowań w wysokoczęstotliwościowych układach wzmacniaczy mocy. Charakteryzuje się maksymalną mocą wyjściową 60W przy częstotliwości 30MHz i napięciem zasilającym 12.5V. Dedykowany dla części elektronicznych w urządzeniach nadawczo-odbiorczych, wykazuje wysoką efektywność i stabilność parametrów przy różnych obciążeniach.
ID produktu: 11860
Stan magazynowy: w magazynie
Model 12MN50, tranzystor typu MOSFET, zamknięty w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 500V oraz prądem drenu do 12A. Zapewnia wysoką efektywność i szybkość przełączania. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości.
ID produktu: 11811
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor typu FDPF13N65, wykonany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem pracy do 650V oraz prądem drenu 13A. Jego zastosowanie znajduje się w szerokim spektrum aplikacji przemysłowych, gdzie wymagana jest wysoka efektywność i niezawodność. Wśród części elektronicznych, ten model wyróżnia się dzięki technologii SuperFET, zapewniającej minimalizację strat mocy oraz optymalizację pracy przy wysokich częstotliwościach.
ID produktu: 11861
Stan magazynowy: w magazynie
Model 13NK60ZFP, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła (VDS) wynoszącym 600V oraz prądem drenu (ID) na poziomie 13A, co zapewnia jego efektywność w aplikacjach przemysłowych. Obudowa TO-220F gwarantuje doskonałą odporność termiczną. W kontekście części elektronicznych, ten tranzystor jest dedykowany do zaawansowanych systemów zasilania, oferując stabilność i niezawodność w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 11812
Stan magazynowy: w magazynie
Model 16N50 (FDP16N50), wykonany w obudowie METAL (TO-220), jest tranzystorem MOSFET typu N o maksymalnym napięciu dren-źródło wynoszącym 500V i prądzie drenu do 16A. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co przekłada się na efektywność energetyczną w aplikacjach przemysłowych. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych, 16N50 oferuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur, co jest istotne przy projektowaniu układów mocy.
ID produktu: 11448
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FQA24N60, w obudowie METAL (TO-3PN), charakteryzuje się napięciem przebicia dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 24A. Wysoka efektywność termiczna i niska rezystancja kanału RDS(on) zapewniają optymalizację w aplikacjach o wysokiej mocy. Produkt znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz innych układach wymagających efektywnego przełączania.
ID produktu: 11813
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2N5884 METAL, w obudowie TO-3, jest bipolarnym tranzystorem mocy PNP, charakteryzującym się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 80V oraz prądem kolektora do 25A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji w przemyśle elektronicznym. Dostępne części elektroniczne obejmują szeroki asortyment komponentów do budowy zaawansowanych układów elektronicznych.
ID produktu: 11814
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor 2N6491, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Jego parametry pozwalają na efektywne przełączanie oraz wzmacnianie sygnałów w układach elektronicznych. Dedykowany głównie do zastosowań w przemyśle, ten komponent może być stosowany w różnorodnych aplikacjach. Dostępność tego typu części elektronicznych jest kluczowa dla utrzymania ciągłości pracy systemów.
ID produktu: 11815
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1106, wykonany w obudowie TO-3PN, jest półprzewodnikowym elementem bipolarnym typu PNP. Charakteryzuje się wysokim napięciem przebicia, co czyni go odpowiednim do zastosowań w wysokonapięciowych układach wzmacniających. Jego maksymalny prąd kolektora to 5A, a moc strat wynosi 100W. Integralną częścią projektów zawierających części elektroniczne jest zapewnienie stabilności termicznej, co w przypadku 2SA1106 osiągnięto dzięki zastosowaniu obudowy TO-3PN, która efektywnie rozprasza ciepło.
ID produktu: 11816
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1144, z obudową TO-126, jest półprzewodnikowym elementem bipolarnym o typie PNP, przeznaczonym do zastosowań w układach wzmacniających niskiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 50V oraz prądem kolektora IC o wartości 150mA. Dedykowany dla szerokiego zakresu aplikacji, w tym urządzeń audio. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie.