Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 11824
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC2577, z obudową TO-3PN, charakteryzuje się wysoką mocą wyjściową. Jako element półprzewodnikowy, znajduje zastosowanie w układach wzmacniaczy mocy oraz przetwornic. Dzięki parametrom, takim jak maksymalne napięcie kolektora oraz prąd kolektora, umożliwia efektywną pracę w zaawansowanych częściach elektronicznych. Specyfikacja obejmuje również parametry dynamiczne, takie jak częstotliwość graniczna i współczynnik wzmocnienia prądowego.
ID produktu: 11825
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor 2SC2904, produkowany przez MITSUBISHI, charakteryzuje się obudową typu TO-129. Jako element bipolarny NPN, znajduje zastosowanie w wysokoczęstotliwościowych aplikacjach RF. Parametry maksymalne obejmują napięcie kolektor-emiter VCEO oraz prąd kolektora IC, co czyni go odpowiednim dla zaawansowanych układów elektronicznych. Dostęp do szerokiej gamy części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi obwodami.
ID produktu: 11826
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC3423Y, w obudowie TO-126, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia i wysoką prędkością przełączania. Przeznaczony dla aplikacji wymagających efektywnego sterowania prądem do 1A przy napięciu kolektora do 300V. Wykorzystywany głównie w układach wzmacniaczy mocy, przetwornicach i częściach elektronicznych o podwyższonych parametrach pracy.
ID produktu: 11827
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC4370A, w obudowie TO-220F, to półprzewodnikowy element dyskretny, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy i przetwornic. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (Vceo) wynoszącym 400V, prądem kolektora (Ic) do 2A oraz mocą strat (Pc) do 25W. Komponent ten znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w urządzeniach audio, systemach zasilania i sterowania.
ID produktu: 11828
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC4511, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), jest bipolarnym tranzystorem NPN o wysokiej mocy przełączania. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 400V oraz maksymalnym prądem kolektora IC równym 6A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji elektronicznych, w tym w układach zasilania. Dostępne części elektroniczne obejmują szeroką gamę komponentów dedykowanych dla profesjonalistów.
ID produktu: 11829
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC4881, bipolarny, NPN, o wysokiej mocy, przeznaczony do zastosowań w układach przetwornicowych oraz końcówek mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia i wysoką częstotliwością pracy. Parametry: VCEO = 800V, IC = 3A. Dostępny w obudowie TO-3P. Znajdź więcej informacji o częściach elektronicznych na naszej stronie.
ID produktu: 11411
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 11831
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC5353, zamknięty w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się wysoką wydajnością prądową oraz napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym 400V. Przeznaczony głównie do zastosowań w układach przetwornicowych, cechuje się również niskim współczynnikiem nasycenia. Dostępność części elektronicznych tego typu umożliwia efektywną realizację zaawansowanych projektów elektronicznych.
ID produktu: 11832
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC5906, w obudowie SMD, jest bipolarnym tranzystorem NPN, charakteryzującym się maksymalnym napięciem kolektor-emiter wynoszącym 400V oraz prądem kolektora do 1A. Jego wysoka częstotliwość przełączania oraz niska pojemność wejściowa sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, takich jak przetwornice czy zasilacze impulsowe. Parametry te, w połączeniu z małymi rozmiarami obudowy SMD, umożliwiają efektywną miniaturyzację układów elektronicznych.
ID produktu: 11833
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SD1175, wykonany w obudowie metalowej TO-3, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką prędkością przełączania. Dedykowany dla aplikacji wymagających dużej mocy, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania. Dostępny w ofercie części elektronicznych, jest kluczowym komponentem w projektowaniu efektywnych systemów energetycznych.